Wynik wyszukiwania

Dom Produkty CVD SIC Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[CVD SIC ]

dopasowanie

Produkty

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Substrat SiC o grubości 4H-N 350um stosowany w optoelektroniki materiał półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym 8 cali grubość 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Dwustronny wypolerowany wysokiej czystości lustro SiC składnik optyczny do lustrzanki MEMS

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości węglik krzemowy (SiC) Proszek 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Wielkość cząstek SIC Rozwój kryształowy

Uzyskaj najlepszą cenę

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic 3C-N Typ Rozmiar Przewodnik obróbki typu dla systemów radarowych Zero MPD Production Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy efekt końcowy SiC Ceramic dla obróbki płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

Atrapa płytki SiC do stabilizacji procesów półprzewodnikowych i kondycjonowania sprzętu

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy SiC Ceramic Boat Carrier dla obróbki płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

Grubość 330um 4H-N Typ Podłoże SiC Klasa produkcyjna Dia50,8 mm 2 cale

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty CVD SIC Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ CVD SIC ] dopasowanie 67 Produkty

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Substrat SiC o grubości 4H-N 350um stosowany w optoelektroniki materiał półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym 8 cali grubość 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Dwustronny wypolerowany wysokiej czystości lustro SiC składnik optyczny do lustrzanki MEMS

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[CVD SIC ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

​​High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Substrat SiC o grubości 4H-N 350um stosowany w optoelektroniki materiał półprzewodnikowy

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych

4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym 8 cali grubość 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Dwustronny wypolerowany wysokiej czystości lustro SiC składnik optyczny do lustrzanki MEMS

High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant