Chiny SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Mapa witryny



Dom

O nas

profil firmy

Wycieczka po fabryce

Kontrola jakości

Często zadawane pytania

Produkty

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

rozwiązania

Aktualności

Skontaktuj się z nami

Zakupy

zacytować

Dom SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Mapa witryny

firma

O nas

Skontaktuj się z nami

Blog

rozwiązania

Produkty

Szafirowy opłatek

5 Cal Dia 125 mm Sapphire Substrate 9.0 Wysoka twardość 99,999% Al2O3 Materiał

Small Square Sapphire Components / Custom Sapphire Glass Wear Odporność na zużycie

Podłoże SiC

4H-SEMI SiC Substrate Cutting Disc Dia 10 mm Grubość 5 mm <0001> Wysoka twardość

4 cali 3C N-typ SiC podłoża Karbid krzemowy podłoża gruby 350um Prime klasy klasy Dummy

2-calowy 6H - Węglik spiekany o niskim poborze mocy dla detektora

4H-N SiC podłoże Silicon Carbon Substrate Square 5mm*5mm Zindywidualizowana grubość 350um Prime Grade/ Dummy Grade

4 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 100mm N typu Prime Grade Dummy Grade Grubość 350um

4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym 8 cali grubość 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

Sapphire Optical Windows

Dwustronnie polerowane szafirowe okna do rozpoznawania odcisków palców

IC Wafel silikonowy

Czarny 8-calowy IC Wafel krzemowy Wafel Krzem Wlewki Polikrzemowe do procesu półprzewodnikowego

Maszyna do piły drutowej

Maszyna do cięcia piły wieloprzewodnej do obróbki kamienia naturalnego

Sic maszyna do cięcia drutu diamentowego Precyzyjne sterowanie Sic cięcie kryształowej pręty

Maszyna do piły z pojedynczym / wielokrotnym drutem diamentowym do obróbki płyt półprzewodnikowych

Syntetyczny Sapphire Rod

Ceramika elektroniczna - syntetyczny szafirowy pręt z 99,999% materiałów Al2O3

Topiona płyta kwarcowa

Optyczna krzemionkowa rura kwarcowa Materiał SiO2 Crystal o niestandardowym kształcie otworu

GS1 Grade Synthetic Fused Quartz Plate, okno optyczne z kwarcu o gęstości 2,2g / cm³

120 X 120mm Fused Quartz Plate Dostosowany kwadratowy kształt do elektronicznego światła

Szafirowe części

Wielokrotne rozmiary Sapphire Ingot AL203 Odporność na działanie cieplne Odporność na korozję Wysoka twardość Dostosowanie obsługiwane

Sapphire Rod Customized Rod Pure Al2O3 Single Crystal Optical Parts Wysoka twardość

Sapphire Wafer Handling Lift Pin for Wafer Transfer Zmniejszone naprężenie mechaniczne

Sapphire lift pin Sapphire parts Pure Al2O3 Single Crystal Optical Parts Wysoka twardość

Sapphire Tubes Optical Al2O3 Tubes Wysoka twardość Customized Tubes Przejrzysty

Rury szafirowe Rury optyczne Rury czyste Al2O3 Wysoka twardość Przejrzyste pierwotne powierzchnie wzrostu

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Kompresor powietrza odśrodkowego z zawieszeniem magnetycznym 45%-100% stały magnes częstotliwości konwersji technologii odśrodkowej

Szkło Laserowe precyzyjna maszyna do cięcia obrabiania szkła UV Laserowy system CNC

Pozostałe urządzenia do obróbki metalowej

Wyniki badań na podstawie danych naukowych, które zostały przeprowadzone w wyniku badań, wskazują, że nie ma żadnych dowodów na to, że w wyniku badań naukowych nie stwierdzono żadnych istotnych skutków.

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

N / P Typ German Wafel, Germanic Optyka Średnica 0,5 ~ 150mm

Ge Optical Tables Indifosfamid Wafel Doskonały materiał półprzewodnikowy

Pierwotna / Dummy Grade Indifosforanu Grubość 350um Dla LD

3.58 Substrat Gęstości Mgo / Podłoże Mafatowo-Waflowo-Tlenek Magnezu

Podłoże ceramiczne

Wafel ceramiczny Al2O3 Doskonałe właściwości elektryczne do uszczelnień mechanicznych

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

2-calowy 4-calowy azotek galu GaN AlN Wafel szablonowy na podłożach szafirowych i Si

Undoed Semi-izolacyjny wafel azotku galu HVPE i typ szablonu

Szablon GaN Grow Application SSP Sapphire Carrier Substrate Chip Niestandardowa orientacja

Wafel GaN HVPE z azotku galu, Gan Chip wolnostojący Rozmiar 10 x 10 mm

Półprzewodnikowy wafel azotku galu, szablon substratu GaN N - typ 2 calowy

GaAs Wafer

N - Podłoża z jednego arsenku galu z nikotynami GaAs 2 - 6 cali

15 16 17 18 19 20 21 22