Chiny SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Mapa witryny



Dom

O nas

profil firmy

Wycieczka po fabryce

Kontrola jakości

Często zadawane pytania

Produkty

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

rozwiązania

Aktualności

Skontaktuj się z nami

Zakupy

zacytować

Dom SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Mapa witryny

firma

O nas

Skontaktuj się z nami

Blog

rozwiązania

Produkty

Szafirowy opłatek

C - Sapphire Wafer Axis jednostronnie polerowany 3-calowy soczewka optyczna Crystal Al2O3

2 cale A - Odporność na promieniowanie waflowe szafiru w osi na test gotowości Epi

100um 170um 200um DSP Szafirowe wafle Ultracienka grubość 2 cale

12-calowe wafle szafirowe BF33 Wafle kwarcowe Podłoża DSP

ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki

Średnica 300 mm Szkło kryształowe Sapphire Wafer Dwustronnie polerowane do okna

Podłoże SiC

SiC Seed Wafer 6" 8" 4H-N Type Production Grade Dummy Grade For SiC Wafer Growth

2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej

Płytki z węglem krzemowym typu 4H Dia 157±0,5 mm grubość 500±50um powierzchnia monokrystaliczna >153 mm

Wafer nasienny SiC grubość 8 cali 600±50um 4H typu klasy produkcyjnej dla wzrostu kryształu węglanu krzemowego

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

6calowy węglowodor krzemowy półizolacyjny SiC kompozytowy podłoże P typ N typ jednopłaszczany podwójny płaszcz produkcyjny

Sapphire Optical Windows

Dwustronnie polerowane szafirowe okna do rozpoznawania odcisków palców

IC Wafel silikonowy

Czarny 8-calowy IC Wafel krzemowy Wafel Krzem Wlewki Polikrzemowe do procesu półprzewodnikowego

Maszyna do piły drutowej

Maszyna do cięcia piły wieloprzewodnej do obróbki kamienia naturalnego

Sic maszyna do cięcia drutu diamentowego Precyzyjne sterowanie Sic cięcie kryształowej pręty

Maszyna do piły z pojedynczym / wielokrotnym drutem diamentowym do obróbki płyt półprzewodnikowych

Syntetyczny Sapphire Rod

Ceramika elektroniczna - syntetyczny szafirowy pręt z 99,999% materiałów Al2O3

Topiona płyta kwarcowa

Optyczna krzemionkowa rura kwarcowa Materiał SiO2 Crystal o niestandardowym kształcie otworu

GS1 Grade Synthetic Fused Quartz Plate, okno optyczne z kwarcu o gęstości 2,2g / cm³

120 X 120mm Fused Quartz Plate Dostosowany kwadratowy kształt do elektronicznego światła

Szafirowe części

Sapphire Substrate Sapphire wafers SSP monocrystalline Al2O3 8c. 6c. Dia200mm

8 cali Al2O3 Sapphire Optical Windows grubość DSP 0,5 mm Oryginacja C-Axis

Fluorowany tlenek cyny FTO przewodzące powlekane szkło czystość 99,999% Niestandardowe dowolny rozmiar 1mm1mm 100mm100mm

TGV Sapphire Wafer Perforated Glass Substrate Through Glass Via TGV Zindywidualizowany

ITO przewodzący powlekany szklany podłoże z tlenku cyny india do zastosowań laboratoryjnych 10x10mmx0,7mm 8 ohm/kw

Mikrofluidiczna szklana podłoga optycznie przezroczysta płytka wysokiej precyzji personalizacja przetwarzania BF33 JGS1 JGS2 Sapphire Quartz Corning Glass

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Kompresor powietrza odśrodkowego z zawieszeniem magnetycznym 45%-100% stały magnes częstotliwości konwersji technologii odśrodkowej

Szkło Laserowe precyzyjna maszyna do cięcia obrabiania szkła UV Laserowy system CNC

Pozostałe urządzenia do obróbki metalowej

Wyniki badań na podstawie danych naukowych, które zostały przeprowadzone w wyniku badań, wskazują, że nie ma żadnych dowodów na to, że w wyniku badań naukowych nie stwierdzono żadnych istotnych skutków.

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

N / P Typ German Wafel, Germanic Optyka Średnica 0,5 ~ 150mm

Ge Optical Tables Indifosfamid Wafel Doskonały materiał półprzewodnikowy

Pierwotna / Dummy Grade Indifosforanu Grubość 350um Dla LD

3.58 Substrat Gęstości Mgo / Podłoże Mafatowo-Waflowo-Tlenek Magnezu

Podłoże ceramiczne

Wafel ceramiczny Al2O3 Doskonałe właściwości elektryczne do uszczelnień mechanicznych

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

2-calowy 4-calowy azotek galu GaN AlN Wafel szablonowy na podłożach szafirowych i Si

Undoed Semi-izolacyjny wafel azotku galu HVPE i typ szablonu

Szablon GaN Grow Application SSP Sapphire Carrier Substrate Chip Niestandardowa orientacja

Wafel GaN HVPE z azotku galu, Gan Chip wolnostojący Rozmiar 10 x 10 mm

Półprzewodnikowy wafel azotku galu, szablon substratu GaN N - typ 2 calowy

GaAs Wafer

N - Podłoża z jednego arsenku galu z nikotynami GaAs 2 - 6 cali

11 12 13 14 15 16 17 18