Wynik wyszukiwania

Dom Produkty semiconductor wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[semiconductor wafer ]

dopasowanie

537

Produkty

Wykorzystuje się w tym celu wzorzec "Custom Sic Ceramics Carrier End Effector for Wafer Handling".

Uzyskaj najlepszą cenę

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Całkowicie automatyczne precyzyjne cięcie piły do cięcia płytek o pojemności 12 cali

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy efekt końcowy SiC Ceramic dla obróbki płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrate 6H-N Typ Grubość 350um 650um Sic Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

Uzyskaj najlepszą cenę

2cm 4cm 6cm 8cm 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraty 3C-N Typ MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-N Silikon węglowodorny SiC Substrat grubość 350um 500um SiC płytki Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

usługa cięcia laserowego sic chipów sic w płytach kwadratowych 0,5x0,5mm

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Karbyd krzemowy (SiC) Substrat 6 cali 8 cali płytka testowa do cięcia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

Zafirowa wieloprzewodowa piła do materiałów safirowych/SiC/kwarcowych

Uzyskaj najlepszą cenę

Przezroczysty 10x15mm 001 Orientacja Podłoże GaO z tlenku galu do aplikacji diod LED

Uzyskaj najlepszą cenę

6' 8' Ultra gruby SiO2 pojedynczy kryształ 10um 20um 25um sucha mokra warstwa tlenku 0,1μm 25μm

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-P Karbyd krzemu SiC Substrat 4 cali SIC Wafer 6H-P Do osadzenia nitrurowego III-V

Uzyskaj najlepszą cenę

6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Substrat SiC o grubości 4H-N 350um stosowany w optoelektroniki materiał półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

17 18 19 20 21 22 23 24

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty semiconductor wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Twoje poszukiwania [ semiconductor wafer ] dopasowanie 537 Produkty

Szafirowy wafel 60/40 Jakość powierzchni Scratch/Dig 20/10 40/20 60/40

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Diamentowa Piła Drutowa Wielodrutowa Szybka Precyzyjna Obróbka Twardych i Kruchych Materiałów Sprzęt Półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

12 cali dia300mm 0.7mm grubość borokrzemowe33 substratowe wafle szklane BF33 wafle

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4° Poza oś SiC Substrat 2 cali Aplikacje wysokiej temperatury Wafer epitaksyalny

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

4'' 200nm AlScN Na płytkach krzemowych SSP DSP Substraty epitaksyalne dla urządzeń LED

Uzyskaj najlepszą cenę

Półprzewodnikowe LN Kryształy metodą CZ Czochralskiego Do zastosowań optycznych

Uzyskaj najlepszą cenę

Części Sapphire Niestandardowe Sapphire Jednostki czyste Al2O3 przejrzystość rurki Wafer okna

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

17 18 19 20 21 22 23 24

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

[semiconductor wafer ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Szafirowy wafel 60/40 Jakość powierzchni Scratch/Dig 20/10 40/20 60/40

Diamentowa Piła Drutowa Wielodrutowa Szybka Precyzyjna Obróbka Twardych i Kruchych Materiałów​​ Sprzęt Półprzewodnikowy

12 cali dia300mm 0.7mm grubość borokrzemowe33 substratowe wafle szklane BF33 wafle

4° Poza oś SiC Substrat 2 cali Aplikacje wysokiej temperatury Wafer epitaksyalny

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

4'' 200nm AlScN Na płytkach krzemowych SSP DSP Substraty epitaksyalne dla urządzeń LED

Półprzewodnikowe LN Kryształy metodą CZ Czochralskiego Do zastosowań optycznych

Części Sapphire Niestandardowe Sapphire Jednostki czyste Al2O3 przejrzystość rurki Wafer okna

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Diamentowa Piła Drutowa Wielodrutowa Szybka Precyzyjna Obróbka Twardych i Kruchych Materiałów Sprzęt Półprzewodnikowy