Wynik wyszukiwania

Dom Produkty polished silicon wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[polished silicon wafer ]

dopasowanie

160

Produkty

wideo

8-calowy 0,725 Dia100 mm C Płaszczyzna Pojedynczy kryształ Szafirowy wafel 1300 mm 1500 mm Grubość

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

8 cali Dia100mm 0001 Szafirowy wafel 1sp lub 2sp do nośnika półprzewodników

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Al2O3 pojedynczy kryształ szafirowy wafel samolot 6 cali 150 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolujące podłoża SiC typu 4H-N 2-calowe 3-calowe 4-calowe płytki z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

Dummy Grade 6-calowy Sic Substrate Wafel Dia150mm 4H-N 500mm Grubość

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

German Single Crystals Indifosfosfid Wafer Indywidualne soczewki optyczne Ge 4/6 cala

Uzyskaj najlepszą cenę

Pojedyncze kryształy germanu Wafle Inp Substraty półprzewodnikowe

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoża półprzewodnikowe soczewek Ge INP Wafel z fosforku indowo-galowego

Uzyskaj najlepszą cenę

Metoda MPCVD Polytype Diamentowe płytki substratowe do epitaksji GaN

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat HVPE GaN lub szablon GaN EPI Wafel Do zastosowań RF

Uzyskaj najlepszą cenę

Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej Czystości SiC Chwytak Końcowy do Obsługi Waferów, Odporny na Korozję i Ciepło, Widelec do Przetwarzania Półprzewodników

Uzyskaj najlepszą cenę

Substraty półprzewodnikowe płytek germanowych <111> Koncentrujące fotovoltaiczne CPV

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Dwustronny wypolerowany wysokiej czystości lustro SiC składnik optyczny do lustrzanki MEMS

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty polished silicon wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ polished silicon wafer ] dopasowanie 120 Produkty

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych

Uzyskaj najlepszą cenę

5x40mm Dostosowany kształt sic Wafle kryształowe 4H-N Sic Substrates chips

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-N 5x5mm Sic Wafle Ceramiczne podłoże katalizatora DSP

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-N Wafel do podłoża SiC klasy produkcyjnej o grubości 8 cali, średnica 200 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N 4 cale 6 cali Sic Wafers Materiał półprzewodnikowy do urządzenia SBD MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

Substraty płytek szklanych 8-12 cali do zastosowań półprzewodnikowych i zaawansowanych opakowań

Uzyskaj najlepszą cenę

Karburowa płytka krzemowa 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy Grade Dia 4in 6in

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Uzyskaj najlepszą cenę

Dostosowany rozmiar Twardość podłoża z węglika krzemu 9,4 Sic Części do sprzętu

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[polished silicon wafer ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych

5x40mm Dostosowany kształt sic Wafle kryształowe 4H-N Sic Substrates chips

4H-N 5x5mm Sic Wafle Ceramiczne podłoże katalizatora DSP

4H-N Wafel do podłoża SiC klasy produkcyjnej o grubości 8 cali, średnica 200 mm

4H-N 4 cale 6 cali Sic Wafers Materiał półprzewodnikowy do urządzenia SBD MOS

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Substraty płytek szklanych 8-12 cali do zastosowań półprzewodnikowych i zaawansowanych opakowań

Karburowa płytka krzemowa 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy Grade Dia 4in 6in

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

2 cali/4 cali/6 cali/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Dostosowany rozmiar Twardość podłoża z węglika krzemu 9,4 Sic Części do sprzętu

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy