Wynik wyszukiwania

Dom Produkty gap wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[gap wafer ]

dopasowanie

105

Produkty

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty gap wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ gap wafer ] dopasowanie 105 Produkty

4-calowy węglik spiekany z węglika krzemu o grubości 5 - 15 mm do półprzewodników

Uzyskaj najlepszą cenę

2" InSb-Te EPI Substraty Wąskie pasmo Półprzewodników Substraty Hall Komponenty

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-P Karbyd krzemu SiC Substrat 4 cali SIC Wafer 6H-P Do osadzenia nitrurowego III-V

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Uzyskaj najlepszą cenę

Przezroczysta soczewka optyczna SIC Crystal 4H-SEMI Dostosowany rozmiar

Uzyskaj najlepszą cenę

HPSI 4H-SEMI Przezroczysta, bezbarwna, dostosowana soczewka SIC

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

10 Mm X 10 Mm 6H Półizolujące podłoże SiC Klasa badawcza Kryształowe podłoże SiC

Uzyskaj najlepszą cenę

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej

Uzyskaj najlepszą cenę

2 3 4 5 6 7 8 9

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[gap wafer ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

4-calowy węglik spiekany z węglika krzemu o grubości 5 - 15 mm do półprzewodników

2" InSb-Te EPI Substraty Wąskie pasmo Półprzewodników Substraty Hall Komponenty

4H-P Karbyd krzemu SiC Substrat 4 cali SIC Wafer 6H-P Do osadzenia nitrurowego III-V

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

2 cali/4 cali/6 cali/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Przezroczysta soczewka optyczna SIC Crystal 4H-SEMI Dostosowany rozmiar

HPSI 4H-SEMI Przezroczysta, bezbarwna, dostosowana soczewka SIC

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

10 Mm X 10 Mm 6H Półizolujące podłoże SiC Klasa badawcza Kryształowe podłoże SiC

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy