Wyślij wiadomość

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Poczta: eric_wang@zmsh-materials.com TEL: 86-1580-1942596

>

gaas wafer Producent internetowy

WSZYSTKIE PRODUKTY

GORĄCE PRODUKTY

wideo

kupować ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki Producent internetowy

ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki

kupować 4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade Producent internetowy

4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade

kupować 2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN Producent internetowy

2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN

wideo

kupować Al2O3 9,0 Polerowany syntetyczny rubin z domieszką twardości Producent internetowy

Al2O3 9,0 Polerowany syntetyczny rubin z domieszką twardości

wideo

kupować Optyczny szafirowy kryształ syntetyczny rubin do szkiełka zegarka Producent internetowy

Optyczny szafirowy kryształ syntetyczny rubin do szkiełka zegarka

kupować Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem Producent internetowy

Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem

kupować GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale Producent internetowy

GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale

kupować 2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN Producent internetowy

2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN

gaas wafer (74) Producent internetowy

Jakość 6-calowa metoda wzrostu VGF typu P GaAs Wafle GaAs Substraty fabryka

6-calowa metoda wzrostu VGF typu P GaAs Wafle GaAs Substraty

Jakość 4-calowe wafle GaAs Arsenek galu Substraty DSP typu N typu P fabryka

4-calowe wafle GaAs Arsenek galu Substraty DSP typu N typu P

Jakość 2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED fabryka

2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED

Jakość Si Doped Undoped GaAs Wafel Galium Arsenide Substraty 2-calowe typu N fabryka

Si Doped Undoped GaAs Wafel Galium Arsenide Substraty 2-calowe typu N

Jakość Wafle GaAs typu N / bez domieszek GaSb 2-calowe wafle InAs fabryka

Wafle GaAs typu N / bez domieszek GaSb 2-calowe wafle InAs

Jakość 3-calowe wafle VGF GaAs Test badawczy Podłoża GaAs klasy N fabryka

3-calowe wafle VGF GaAs Test badawczy Podłoża GaAs klasy N

Jakość 3-calowy 76,2 mm wafel z arsenku galu N-Type S domieszkowany do mikroelektroniki fabryka

3-calowy 76,2 mm wafel z arsenku galu N-Type S domieszkowany do mikroelektroniki

Jakość Metoda VGF Gaas Wafer Dia 150mm półizolujący dla mikroelektroniki fabryka

Metoda VGF Gaas Wafer Dia 150mm półizolujący dla mikroelektroniki

Jakość Dia 50,8 mm 2-calowy wafel arsenku galu na półprzewodnikowe podłoże fabryka

Dia 50,8 mm 2-calowy wafel arsenku galu na półprzewodnikowe podłoże

Jakość Grubość 500um Indum arsenku wafel InAs Crystal Wafer 2 Inch Średnica 50.8mm fabryka

Grubość 500um Indum arsenku wafel InAs Crystal Wafer 2 Inch Średnica 50.8mm

Jakość Dwustronnie polerowany półprzewodnikowy wafel 1sp 2sp 10X10mm GGG Crystal Substrate Chips fabryka

Dwustronnie polerowany półprzewodnikowy wafel 1sp 2sp 10X10mm GGG Crystal Substrate Chips

Jakość N Typ 4-calowy Dia100mm Wolnostojący wafelek z azotku galu HVPE GaN fabryka

N Typ 4-calowy Dia100mm Wolnostojący wafelek z azotku galu HVPE GaN

Jakość Substrat Zno, krystaliczne substrat tlenku cynku w postaci cynkowego tlenku fabryka

Substrat Zno, krystaliczne substrat tlenku cynku w postaci cynkowego tlenku

Jakość Laalo3 Substrate, Gallen Arsenide Wafer Lanthan Aluminate Crystal Substrate fabryka

Laalo3 Substrate, Gallen Arsenide Wafer Lanthan Aluminate Crystal Substrate

Jakość 6-calowa metoda VGF N Typ GaAs Podłoża 2 stopnie od wafla SSP 675um fabryka

6-calowa metoda VGF N Typ GaAs Podłoża 2 stopnie od wafla SSP 675um

1 2 3 4 5