Szczegóły Produktu
Miejsce pochodzenia: Chiny
Nazwa handlowa: ZMSH
Numer modelu: 4H-N SiC
Warunki płatności i wysyłki
Czas dostawy: 2-4 tygodnie
Zasady płatności: T/T
Materiał: |
Monokryształ SiC |
Rodzaj: |
4h-n |
Wielkość: |
4 cale |
Gęstość: |
350 um |
Klasa: |
Klasa P lub D |
Dostosowanie: |
Utrzymany |
Materiał: |
Monokryształ SiC |
Rodzaj: |
4h-n |
Wielkość: |
4 cale |
Gęstość: |
350 um |
Klasa: |
Klasa P lub D |
Dostosowanie: |
Utrzymany |
4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c Prime Grade Dummy Grade
4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c Prime Grade Dummy Grade
4-calowa płytka 4H-N Silicon Carbide (SiC) jest materiałem półprzewodnikowym o strukturze krystalicznej 4H politypu.
Jest zazwyczaj zorientowany jako twarz Si (0001) lub twarz C (000-1).
Te płytki są typu N, dopywane azotem i mają grubość około 350 μm.
Oporność tych płytek jest zazwyczaj w zakresie od 0,015 do 0,025 ohm. cm, a często mają wypolerowaną powierzchnię z jednej lub obu stron.
Płytki z węglanu krzemowego są znane ze swojej doskonałej przewodności cieplnej.
A także dla szerokiego pasma 3,23 eV, wysokiego pola elektrycznego i znaczącej mobilności elektronów.
Wykazują wysoką twardość, co czyni je odpornymi na zużycie i wstrząsy cieplne oraz mają wyjątkową stabilność chemiczną i termiczną.
Właściwości te sprawiają, że płytki SiC nadają się do zastosowań w trudnych środowiskach, w tym urządzeniach elektronicznych o wysokiej mocy, wysokiej temperaturze i wysokiej częstotliwości.
Nazwa produktu: Substrat z węglanu krzemu (SiC)
Heksagonalna struktura: Unikalne właściwości elektroniczne.
Szeroki zakres: 3,23 eV, umożliwiający pracę w wysokich temperaturach i odporność na promieniowanie
Wysoka przewodność cieplna: umożliwia efektywne rozpraszanie ciepła
Pole elektryczne o wysokiej awarii: umożliwia pracę o wyższym napięciu przy zmniejszonej przecieki
Wysoka mobilność elektronów: poprawia wydajność urządzeń RF i zasilania
Niska gęstość rozkładu: poprawia jakość materiału i niezawodność urządzenia
Wysoka twardość: odporność na zużycie i obciążenia mechaniczne
Doskonała stabilność chemiczna: odporna na korozję i utlenianie
Wysoka odporność na uderzenia cieplne: utrzymuje integralność w szybkich zmianach temperatury
| Średnica | 4 cali (100 mm) |
| Orientacja | Z dala od osi: 4,0° w kierunku <1120 > ±0,5° dla 4H-N |
| Gęstość | 350 mm±20 mm |
| Odporność | 00,015-0,028 Q-cm |
| Gęstość mikroturbin | P: < 2 cm^-2; D: < 15 cm^-2 |
| Wykończenie powierzchni | DSP lub SSP |
| Stężenie nośnika | 1 x 10^18 cm^-3 ~ 1 x 10^19 cm^-3 |
| Bruki powierzchni | Polski Ra ≤ 1 nm |
Substraty SiC (karbid krzemowy) są stosowane w różnych zastosowaniach o wysokiej wydajności ze względu na ich unikalne właściwości, takie jak wysoka przewodność cieplna, wysoka wytrzymałość pola elektrycznego i szeroka przepustowość.Oto kilka zastosowań:
1Elektryka energetyczna
MOSFETy: do efektywnej konwersji mocy, zdolne do obsługi wysokich napięć i prądów.
Diody Schottky'ego: Używane w naprawcach mocy i aplikacjach przełączania, oferujących niski spadek napięcia i szybkie przełączanie.
JFET: Idealne do przełączania i wzmacniania mocy wysokiego napięcia.
2. Urządzenia RF
Wzmacniacze RF: Zwiększają wydajność w telekomunikacji, zwłaszcza w zakresie wysokiej częstotliwości.
MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits): stosowane w systemach radarowych, komunikacji satelitarnej i innych zastosowaniach o wysokiej częstotliwości.
3. Substraty LED
Światła LED o wysokiej jasności: Dzięki doskonałym właściwościom termicznym nadają się do zastosowań o wysokiej intensywności oświetlenia i wyświetlaczy.
Możemy dostosować rozmiar podłoża SiC do konkretnych wymagań.
Oferujemy również płytki SiC 4H-Semi HPSI o rozmiarach 10x10 mm lub 5x5 mm i typu 6H-N,6H-Semi.
Cena zależy od przypadku, a szczegóły opakowania mogą być dostosowane do Twoich preferencji.
Czas dostawy wynosi 2-4 tygodnie. Akceptujemy płatność za pośrednictwem T/T.
To jest ta, która jest dostosowana.
Nasz produkt SiC Substrate jest wyposażony w kompleksowe wsparcie techniczne i usługi w celu zapewnienia optymalnej wydajności i zadowolenia klientów.
Nasz zespół ekspertów jest dostępny, aby pomóc w wyborze produktu, instalacji i rozwiązywaniu problemów.
Oferujemy szkolenia i edukację w zakresie użytkowania i konserwacji naszych produktów, aby pomóc naszym klientom zmaksymalizować ich inwestycje.
Dodatkowo zapewniamy ciągłe aktualizacje i ulepszenia produktów, aby zapewnić naszym klientom zawsze dostęp do najnowszych technologii.
Z dumą oferujemy 8-calowe płytki SiC, największe dostępne, o konkurencyjnych cenach i doskonałej jakości.co czyni je idealnym wyborem dla zastosowań półprzewodników o wysokiej wydajnościBądźcie w czołówce z naszą najnowocześniejszą technologią!
4H-N 8-calowy podłoże półprzewodnikowe SIC Wafer z węglowodorów krzemowych dla fotowoltaiki słonecznej
(kliknij na zdjęcie, aby zobaczyć więcej)
Drugie
Nasza szeroka gama płytek SiC obejmuje 4H-N, 6H-N, 4H-SEMI, HPSI, 4H-P i 6H-P, spełniające różne potrzeby przemysłowe.Te wysokiej jakości płytki oferują doskonałą wydajność dla elektroniki mocy i zastosowań wysokiej częstotliwości, zapewniając elastyczność i
niezawodność dla najnowocześniejszych technologii.
Typ 14H-N
4H-N 4 cali Nitryd Silikonowy Substrat SiC dla urządzeń o wysokiej mocy
(kliknij na zdjęcie, aby zobaczyć więcej)
Typ 26H-N
2 cali Sic Substrate 6H-N Typ Grubość 350um 650um SiC Wafer
(kliknij na zdjęcie, aby zobaczyć więcej)
Typ 34H-SEMI
4" 4H-Semi wysokiej czystości płytki SIC półprzewodnikowe EPI
(kliknij na zdjęcie, aby zobaczyć więcej)
Typ 4HPSI
10x10x0,5 mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Substrat płytek z węglowodorów krzemowych
(kliknij na zdjęcie, aby zobaczyć więcej)
Typ 54H-P 6H-P
Karburowa płytka krzemowa 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy Grade Dia 4in 6in
(kliknij na zdjęcie, aby zobaczyć więcej)
