Wyślij wiadomość

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Poczta: eric_wang@zmsh-materials.com TEL: 86-1580-1942596

>

silicon substrate Producent internetowy

WSZYSTKIE PRODUKTY

GORĄCE PRODUKTY

wideo

kupować ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki Producent internetowy

ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki

kupować 4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade Producent internetowy

4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade

kupować 2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN Producent internetowy

2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN

wideo

kupować Al2O3 9,0 Polerowany syntetyczny rubin z domieszką twardości Producent internetowy

Al2O3 9,0 Polerowany syntetyczny rubin z domieszką twardości

wideo

kupować Optyczny szafirowy kryształ syntetyczny rubin do szkiełka zegarka Producent internetowy

Optyczny szafirowy kryształ syntetyczny rubin do szkiełka zegarka

kupować Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem Producent internetowy

Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem

kupować GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale Producent internetowy

GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale

kupować 2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN Producent internetowy

2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN

silicon substrate (149) Producent internetowy

Jakość Dostosowany GaN-On-GaN SiC Silicon Sapphire Substrat Wafel epitaksjalny 4 cale Dia 100 mm fabryka

Dostosowany GaN-On-GaN SiC Silicon Sapphire Substrat Wafel epitaksjalny 4 cale Dia 100 mm

Jakość Wolnostojące podłoża HVPE z azotku galu GaN 4 cale fabryka

Wolnostojące podłoża HVPE z azotku galu GaN 4 cale

Jakość AlN na szablonie diamentowym Wafle AlN epitaksjalne filmy na podłożu diamentowym fabryka

AlN na szablonie diamentowym Wafle AlN epitaksjalne filmy na podłożu diamentowym

Jakość 2-calowy 4-calowy 6-calowy 8-calowy wafel z węglika krzemu Wafle Sic Dummy Research Prime Grade fabryka

2-calowy 4-calowy 6-calowy 8-calowy wafel z węglika krzemu Wafle Sic Dummy Research Prime Grade

Jakość Wafel z powłoką Si3Nx o rezystancji 1–10 omów bez wad fabryka

Wafel z powłoką Si3Nx o rezystancji 1–10 omów bez wad

Jakość Przezroczysty 10x15mm 001 Orientacja Podłoże GaO z tlenku galu do aplikacji diod LED fabryka

Przezroczysty 10x15mm 001 Orientacja Podłoże GaO z tlenku galu do aplikacji diod LED

Jakość IC Wafel krzemowy SSP / DSP Wykończenie powierzchni fabryka

IC Wafel krzemowy SSP / DSP Wykończenie powierzchni

Jakość Metoda MPCVD Polytype Diamentowe płytki substratowe do epitaksji GaN fabryka

Metoda MPCVD Polytype Diamentowe płytki substratowe do epitaksji GaN

Jakość 4 cale 6 cali X-cut LN 400nm cienka folia LiNbO3 na podłożu krzemowym fabryka

4 cale 6 cali X-cut LN 400nm cienka folia LiNbO3 na podłożu krzemowym

Jakość produkcja manekinów Węglik krzemu klasy badawczej o wysokiej czystości, 4-godzinny pół-nie-domieszkowany przezroczysty wafel sic fabryka

produkcja manekinów Węglik krzemu klasy badawczej o wysokiej czystości, 4-godzinny pół-nie-domieszkowany przezroczysty wafel sic

Jakość Półizolujące podłoża SiC typu 4H-N 2-calowe 3-calowe 4-calowe płytki z węglika krzemu fabryka

Półizolujące podłoża SiC typu 4H-N 2-calowe 3-calowe 4-calowe płytki z węglika krzemu

Jakość 4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy fabryka

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

Jakość 8 cali 6 cali 4H-N Typ Sic Substrate Klasa produkcyjna wafla dla urządzeń o częstotliwości radiowej fabryka

8 cali 6 cali 4H-N Typ Sic Substrate Klasa produkcyjna wafla dla urządzeń o częstotliwości radiowej

Jakość dostosowane półizolacyjne podłoża SiC typu 4H-N 4-calowe 6-calowe wafle z węglika krzemu fabryka

dostosowane półizolacyjne podłoża SiC typu 4H-N 4-calowe 6-calowe wafle z węglika krzemu

Jakość Grubość 330um 4H-N Typ Podłoże SiC Klasa produkcyjna Dia50,8 mm 2 cale fabryka

Grubość 330um 4H-N Typ Podłoże SiC Klasa produkcyjna Dia50,8 mm 2 cale

1 2 3 4 5 6 7 8