![]() |
rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie2023-08-24 22:49:05 |
![]() |
2-calowa płytka z węglem krzemowym typu 4H-N dla urządzenia MOS Dia 0,4 mm2024-12-05 15:52:17 |
![]() |
Wafer z węglowodorów krzemowych o grubości powierzchni ≤ 0,2 nm2024-06-26 10:36:52 |