![]() |
2c, 3c, 4c Substrat SiC 330um Grubość 4H-N2024-05-29 11:51:08 |
![]() |
Substrat płytek SiC Epitaxial Półprzewodnik Przemysłowe zastosowania 4H-N2024-05-29 11:51:08 |
![]() |
Al2O3 Sapphire wafer monocrystalline średnica 2 cali 3 cali2024-05-23 13:27:53 |
![]() |
Oś A Sapphire Wafer 60/40 Powierzchnia i ochrona DSP monokrystaliczna2024-05-23 11:53:33 |