12-calowa płytka safirowa: C-plane SSP / DSP Optoelektroniczne urządzenia 12-calowa klasy przemysłowej

Przegląd produktu

12-calowa (300 mm) płytka szafirowa to wysokiej klasy wielkoformatowa specyfikacja w sektorze substratów szafirowych.Jest wytwarzany z wysokiej czystości syntetycznej jednokrystalicznej glinu aluminowej (α-Al2O3) klasy 4N5 do 5N, z jednokrystalicznymi ingotami uprawianymi za pomocą zaawansowanych procesów, takich jak metoda Kyropoulosa, a następnie procedurami półprzewodnikowymi, w tym cięciem wielu drutów,Precyzyjne poliwanie i polerowanie mechaniczne chemiczne (CMP).Jako duży podłoże podstawowe dla przemysłu półprzewodnikowego trzeciej generacji jest w pełni kompatybilny z 12-calowymi liniami produkcyjnymi półprzewodników standardowych.Skuteczny powierzchnia epitaksyna na płytkę jest około 9 razy większa niż 4-calowa płytka i 2.25 razy większa niż 8-calowa płytka, znacznie zwiększając produkcję chipa na partię i znacznie zmniejszając koszt podłoża na chip.Produkt ten przezwycięża trudności techniczne, takie jak jednolitość wzrostu dużych kryształów, globalna kontrola płaskości i odporność na warpage w procesach o wysokiej temperaturze,i służy jako podstawowy materiał wspierający masową produkcję mini/mikroekranów LED nowej generacji oraz urządzeń zasilania GaN dużego formatu.

Podstawowe cechy techniczne

1.Ultra duży format do masowej produkcji

Duża średnica 300 mm umożliwia skok w powierzchni podłoża. Jest kompatybilny z 12-calowym standardowym sprzętem epitaxy MOCVD i liniami produkcyjnymi półprzewodników,więcej niż dwukrotne wydolność chipa w porównaniu z 8-calowymi płytkami, a także znacznie amortyzujące koszty amortyzacji sprzętu i procesów.Jest głównym kierunkiem modernizacji technicznej w celu zmniejszenia kosztów i poprawy wydajności w przemyśle optoelektronicznym i urządzeń energetycznych.

2Wysokiej jednolitości, wysokiej czystości, jednokrystaliczny materiał

Jednostkowe kryształy są wytwarzane z surowca aluminiowego o wysokiej czystości, przy ścisłej kontroli rozkładu zanieczyszczeń w zakresie osiowym i promieniowym w wielkogabarytowych ingotach,zapewnienie spójnej struktury kryształowej i jednolitej gęstości zwichnięcia w całej płytceRozwiązuje problemy takie jak segregacja komponentów i nierównomierne naprężenie, które występują zwykle w dużych kryształach szafiru, oraz gwarantuje spójność wzrostu epitaksjalnego i wydajności urządzenia.

3Stabilność termiczna w wysokiej temperaturze dla dużych formatów
Z punktem topnienia 2050 °C, struktura krystaliczna pozostaje stabilna w środowisku epitaksji o wysokiej temperaturze 1000 ~ 1200 °C.Poprzez regulację napięcia wzrostu kryształu i procesy obniżania napięcia, skutecznie hamuje wypaczanie i deformację płytek dużych rozmiarów podczas procesów cyklu o wysokiej temperaturze, zapewniając jednolitość wzrostu warstwy epitaksyalnej i wydajności urządzenia.

4Doskonała izolacja i właściwości dielektryczne
Saphir o wysokiej czystości wewnętrznej ma odporność w temperaturze pokojowej wyższą niż 1014 Ω·cm, doskonałą izolację elektryczną i bardzo niską stratę dielektryczną.Zapewnia niezawodną izolację elektryczną między urządzeniami, tłumi przecieki i przesłuch sygnału w warunkach wysokiego napięcia i spełnia wymagania dotyczące wydajności urządzeń zasilania GaN wysokiego napięcia i urządzeń RF wysokiej częstotliwości.

5.Wspólna płyta Ultra-precyzyjna kontrola płaskości powierzchni

Zarówno procesy Single Side Polished (SSP) jak i Double Side Polished (DSP) są dostępne.Celując w charakterystykę 12-calowego dużego formatu, globalna zmiana całkowitej grubości (TTV), łuk i warp są specjalnie kontrolowane, z doskonałą jednorodnością płaskości w całej płytce, w pełni spełniając wymagania dużych formatów wzrostu epitaksyjnego MOCVD.

6- Wyższa odporność chemiczna i plazmowa
Sapphire ma niezwykle silną obojętność chemiczną, nierozpuszczalną w większości kwasów, kwasów alkalicznych i rozpuszczalników organicznych w temperaturze pokojowej.czyszczenie na mokro i wygrzewanie w wysokiej temperaturze w produkcji półprzewodników, przy minimalnym uszkodzeniu przez korozję i zrzuceniu cząstek na powierzchni, zapewniając czystość procesu i długoterminową niezawodność urządzenia.

7.Wiele orientacji kryształowych i pełna personalizacja parametrów

Oryginacja płaszczyzny C (0001) jest dostarczana jako standardowa, natomiast dostępne są również specjalne orientacje, w tym płaszczyzna A, płaszczyzna R i płaszczyzna M, z dostosowalnymi specyfikacjami w zakresie odwrotnego kąta.Parametry takie jak grubość płytki, szczelinę, wcięcie i czystość powierzchni można dostosować do wymagań klienta, dostosowując się do różnych procesów urządzenia i standardów sprzętu.

8Wysoka wytrzymałość mechaniczna i zgodność ze standardowym procesem

Z twardością Mohsa 9, ma doskonałą sztywność mechaniczną i odporność na gięcie.umożliwiające im wytrzymanie różnych procedur przetwarzania, takich jak rozrzedzanie, krojeniu, wzorowaniu i metalizacji PSS oraz dostosowaniu się do przepływów obsługi i przetwarzania 12-calowego standardowego sprzętu półprzewodnikowego.

Standardowe specyfikacje

Typowe zastosowania

1. Pole optoelektroniczne wyświetlacza: wzrost epitaksowy dużych chipów wyświetleniowych Mini/Micro LED, linii masowej produkcji panelów wyświetleniowych
2. Pole półprzewodników mocy: 12-calowe urządzenia zasilania wysokiego napięcia oparte na GaN, chipy szybkiego ładowania, masowa produkcja elektroniki silnikowej samochodowej
3. Pole układu zintegrowanego: układy zintegrowane układu krążenia radiowego silikonowo-zafirowego (SOS), 12-calowe kompatybilne urządzenia mikroelektroniczne o wysokiej częstotliwości
4. Pole okna optycznego: duże okna optyczne o wysokiej precyzji, okna wykrywające podczerwień, specjalne elementy ochrony optycznej
5. Specjalne pole elektroniczne: Urządzenia elektroniczne o wysokiej temperaturze, elementy elektroniczne odporne na promieniowanie w przemyśle lotniczym, duże podłoże do czujników MEMS

Kontrola jakości

W przypadku 12-calowych płytek wielkości dużych ustanowiono specjalny system kontroli jakości całego procesu półprzewodnikowego.i można dostarczyć pełne świadectwo analizy (COA)Podstawowe elementy kontroli obejmują: dokładność wymiarów i jednolitość grubości płytki, weryfikację odchylenia od orientacji kryształowej, skanowanie płaskości i chropości globalnej,inspekcja mapowania wad wizualnych w całej płytce, badania czystości i naprężenia powierzchni, weryfikacja jakości krawędzi i uszczelnienia opakowań, zapewniając spójność parametrów i niezawodność procesu produktów dużych rozmiarów.

Częste pytania

Jaka jest główna różnica między 12-calowymi płytkami z szafiru a mniejszymi 6-calowymi / 8-calowymi płytkami?

12-calowa (300 mm) płytka zapewnia znacznie większy użytkowy obszar epitaksjalny, około 2,25 razy większy niż 8-calowa płytka i 9 razy większy niż 4-calowa płytka.Jest kompatybilny z 12-calowymi liniami produkcyjnymi półprzewodników i reaktorami MOCVD o dużej pojemności, znacząco zwiększając wydajność chipa na partię i obniżając koszty chipu na jednostkę. Jest przeznaczony do masowej produkcji mini/mikro-ekranów LED i urządzeń zasilania GaN wysokiego napięcia,podczas gdy płytki 6/8-calowe są bardziej powszechnie wykorzystywane do badań i rozwoju, produkcji małych i średnich wielkości oraz konwencjonalnych linii LED.

Czy grubość 12-calowych płytek szafirowych można dostosować?

Tak. Standardowe opcje grubości obejmują 800μm, 1000μm i 1200μm, a specyfikacje grubości na zamówienie mogą być produkowane zgodnie z wymaganiami klienta.łuk i warp są ściśle kontrolowane we wszystkich opcjach grubości w celu zagwarantowania płaskości płytki i zgodności procesu.

Czy oferujecie orientacje kryształowe inne niż płaszczyzna C (0001), a czy nie można regulować kąta?

    Oprócz standardowej orientacji płaszczyzny C dla GaN LED i epitaxy urządzenia zasilania, orientacje płaszczyzny A, płaszczyzny R i płaszczyzny M są dostępne dla urządzeń SOS RF,urządzenia GaN niepolarne i specjalne zastosowania optyczneDokładny kąt odwrotny można również dostosować do rysunków klienta lub wymogów procesu epitaksyjnego w celu optymalizacji jakości filmu epitaksyjnego i wydajności urządzenia.

Czy na 12-calowych płytkach można zastosować dodatkowe obróbki, takie jak wzór PSS lub metalizacja?

    Dostępne są usługi o zwiększonej wartości, w tym wzory PSS/NPSS, pełna lub lokalizowana metalizacja tylnej strony, precyzyjne kształtowanie krawędzi i ultracienkie rozrzedzanie płytek.Wykonalność zależy od wymiarów wzoru, materiały powłoki, grubość płytki i wymagana wytrzymałość mechaniczna.

Jak kontrolować warpage dla 12-calowych wielkości płytek szafirowych w procesach o wysokiej temperaturze? 

    Optymalizujemy napięcie kryształowe podczas wzrostu ingotu, uwalniamy pozostałe napięcie podczas lapowania i polerowania,i zastosować precyzyjną konstrukcję kształtowania krawędziWartości łuku i warp są ściśle sprawdzane przed dostawą, aby zapewnić stabilność wymiarową i jednolity wzrost epitaksjalny w procesach MOCVD o wysokiej temperaturze.

Czy wspiera pan małe zamówienia prototypów 12-calowych płytek z szafiru?

Tak, ilość prototypu, próbne partie w skali laboratorium i zamówienia na utrzymanie są akceptowane.trudności przetwarzania i wymagany stopień jakości.

Produkty pokrewne

Al2O3 Sapphire Watch Case Transparent Classical Circle AR-coating

Rury ochronne termoparów odpornych na korozję przejrzyste rury ze szkła safirowego