Szczegóły Produktu
Miejsce pochodzenia: Chiny
Nazwa handlowa: ZMSH
Orzecznictwo: rohs
Numer modelu: Podłoże SiC
Warunki płatności i wysyłki
Packaging Details: customzied plastic box
Czas dostawy: 2-4 tygodnie
Payment Terms: T/T
Twardota powierzchni: |
HV0,3>2500 |
Napięcie przebicia: |
5,5 MV/cm |
Wytrzymałość na rozciąganie: |
>400 MPa |
Rodzaj podłoża: |
podłoże |
gęstość: |
3,21 G/cm3 |
Domieszka: |
N/A |
Wielkość: |
Zindywidualizowane |
Współczynnik rozszerzalności cieplnej: |
4,5 X 10-6/K |
Twardota powierzchni: |
HV0,3>2500 |
Napięcie przebicia: |
5,5 MV/cm |
Wytrzymałość na rozciąganie: |
>400 MPa |
Rodzaj podłoża: |
podłoże |
gęstość: |
3,21 G/cm3 |
Domieszka: |
N/A |
Wielkość: |
Zindywidualizowane |
Współczynnik rozszerzalności cieplnej: |
4,5 X 10-6/K |
Substrat płytek epitaksyalnych SiC Aplikacje przemysłowe półprzewodników 4H-N
Karbid krzemowy (Substrat SiCOdkryto go w 1893 roku jako przemysłowy ścieracz do szlifowania kół i hamulców samochodowych.Substrat SiCOd tego czasu rozszerzyła się na liczne zastosowania półprzewodnikowe ze względu na korzystne właściwości fizyczne.Właściwości te są widoczne w szerokim zakresie zastosowań w przemyśle półprzewodnikowym i poza nim.Z uwagi na to, że prawo Moore'a wydaje się osiągnąć swój limit, wiele firm w branży półprzewodników patrzy na węglik krzemowy jako materiał półprzewodnikowy przyszłości.
Substrat SiCmożna wytwarzać przy użyciu wielu politypów SiC, chociaż w przemyśle półprzewodnikowym większość podłoża jest albo 4H-SiC, a 6H- staje się rzadziej spotykana wraz z rozwojem rynku SiC.W odniesieniu do węglanu krzemu 4H i 6H, H reprezentuje strukturę krystalicznej siatki. Liczba reprezentuje sekwencję układania atomów w strukturze krystalicznej. Jest to opisane w poniższej tabeli możliwości SVM.
|
4H-N SiC (karbid krzemu) jest materiałem półprzewodnikowym, który jest szeroko stosowany w urządzeniach elektronicznych o wysokiej wydajności ze względu na doskonałą przewodność cieplną,właściwości elektryczne i stabilność chemiczna.Szczególnie w środowiskach o wysokiej temperaturze, wysokim ciśnieniu lub wysokiej częstotliwości cechy 4H-N SiC czynią go idealnym wyborem.Materiał ten jest stosowany głównie w produkcji urządzeń o wysokiej mocy i komponentów elektronicznych, takich jak diody Schottky,Tranzystory o działaniu pola półprzewodnikowego z tlenkiem metalu (MOSFET) i tranzystory dwubiegunowe z izolowaną bramą (IGBT).Ponadto 4H-N SiC jest również stosowany w produkcji świateł LED i komponentów dla systemów komunikacji wysokiej częstotliwości,ponieważ może skutecznie zmniejszyć zużycie energii w systemie i poprawić ogólną wydajność i niezawodność.
ZMSH SIC010 jest uniwersalny i może być stosowany w różnych gałęziach przemysłu.Dostosowane do potrzeb plastikowe pudełka ułatwiają transport i przechowywanie płytek z węglanu krzemowego.
ZMSH SIC Usługi personalizacji produktów podłoża:
Nazwa marki | ZMSH |
Warunki płatności | T/T |
Minimalna ilość zamówienia | 10% |
Bruki powierzchni | Ra<0,5 nm |
Siła kompresji | > 1000 MPa |
Wytrzymałość na rozciąganie | > 400 MPa |
Opakowanie produktu:
Produkt z substratem SiC będzie starannie owinięty w foliową podkładkę w celu zapewnienia bezpieczeństwa podczas wysyłki.Owinięte podłoże zostanie następnie umieszczone w solidnym pudełku z tektury i uszczelnione, aby zapobiec uszkodzeniu podczas transportu.
Wysyłka:
Produkt z substratem SiC zostanie wysłany za pośrednictwem niezawodnej usługi kurierskiej, która zapewnia informacje o śledzeniu, takie jak DHL lub FedEx.Koszty wysyłki będą zależeć od miejsca przeznaczenia i wagi paczkiSzacowany czas wysyłki zależy również od lokalizacji odbiorcy.