Podkreślić:
Detektor IR Wafer z fosforanu indyjnego
, 3" płytki InSb niepowleczone
, Dźwiękowy czujnik obrazu termicznego InSb
3" InSb Wafery IR Detektor Fotodiody Czujnik obrazu termicznego 85 GHz
3 ̊ Niepowleczone płytki InSb Detektor IR Fotodioda Czujnik obrazu termicznego 85 GHz
Opis:
1Antimonid indyjowy jest półprzewodnikiem o prostach przepaściach pasmowych należącym do spektrum podczerwonego.
2Antimonek indyju (InSb) to związek półprzewodnikowy składający się z pierwiastków indyju (In) i antymonu (Sb).
3Antimonek indyju ma również wysoką mobilność nośnika i charakterystykę niskiego hałasu w elektronikach dużych prędkości i wzmacniaczach niskiego hałasu.
4Jego formuła chemiczna wynosi InSb. Antimonek india jest ważnym materiałem półprzewodnikowym o specjalnych właściwościach elektronicznych i optycznych.
ma więc szeroki zakres zastosowań w dziedzinie optoelektroniki i elektroniki.
5Ponadto antymonek indyju może być również stosowany w urządzeniach o efektzie kwantowym, takich jak konstrukcje kwantowe i urządzenia kwantowe.
ze względu na jego doskonałe właściwości kwantowe, takie jak kwantowe efekty ograniczające i kwantowe właściwości dostosowujące.
Charakterystyka:
1Szybka reakcja: Detektor InSb ma szybki czas reakcji i może rejestrować zmiany sygnałów promieniowania podczerwonego w czasie rzeczywistym.
2Niski poziom hałasu: Materiały InSb mają niski poziom hałasu, co może zapewnić jasne obrazy podczerwone i dokładne informacje widmowe.
3Wysoka wrażliwość: Materiał InSb ma wysoką wrażliwość w średnim zakresie podczerwieni, co umożliwia skuteczne wykrywanie i konwersję promieniowania podczerwieni.
4. Niska temperatura pracy: detektory InSb muszą zazwyczaj pracować w niższych temperaturach, zwykle poniżej 77K (temperatura ciekłego azotu)
5szeroki zakres: materiały InSb mają szeroki zakres indukcji promieniowania podczerwonego,który może obejmować średni zakres podczerwieni (zazwyczaj 2-5 mikronów) i część długofalowego zakresu podczerwieni (do około 10 mikronów).
Parametry techniczne:
| Kryształy pojedyncze |
InSb |
| Średnica |
2 ′′ 3 ′′ ((+/- 0,3 mm) |
| Gęstość |
500/600 ((+/-25um) |
| Dopant |
Żadnego |
| Rodzaj przewodów |
N |
| Stężenie nośnika ((cm-3) |
3E15 |
| Gęstość zwichnięcia ((cm-2) |
< 2*102 |
| Stała siatki |
00,648 nm |
| Masa molekularna |
236.58 |
| Punkt stopienia |
527°C |
| gęstość |
50,78 g/cm3 |
| Próżnia pasmowa |
0.17eV ((300K) |
| 0.23eV ((80K) |
Zastosowanie:
| Obrazy podczerwone |
Materiały krystaliczne InSb są szeroko stosowane w obrazowaniu podczerwonym. |
| Urządzenie elektroniczne dużych prędkości |
ze względu na wysoką mobilność nośnika i niską jakość elektroniczną, mogą być wykorzystywane do produkcji urządzeń elektronicznych dużych prędkości. |
| Spectrometry i optyki |
Materiały krystaliczne InSb są szeroko stosowane w produkcji światła podczerwonego
detektory promieniowania. |
| Analiza widmowa |
Materiały krystaliczne InSb mogą być stosowane do analizy widmowej podczerwieni ze względu na ich przejrzystość i wysoką wrażliwość w zakresie podczerwieni. |
| Urządzenie kwantowe |
Wykorzystując strukturę kwantową chipa InSb, można wyprodukować serię urządzeń kwantowych |
| Wykrywanie promieniowania |
Materiały krystaliczne InSb są szeroko stosowane w produkcji światła podczerwonego
detektory promieniowania. |
| Materiał termoelektryczny |
Czipy InSb są w stanie przekształcać energię cieplną w energię elektryczną do zastosowań takich jak wytwarzanie energii termoelektrycznej i pomiar temperatury. |
Inny produkt pokrewny:
SIC Wafle:
Częste pytania:
P: Co to jest certyfikacjaTe-InSb?
A: CertyfikacjaTe-InSbjest ROHS.
P: Jaka jest nazwa firmyTe-InSb?
A: Nazwa markiTe-InSbjest ZMSH.
P: Gdzie jest miejsce pochodzeniaTe-InSb?
A: Miejsce pochodzeniaTe-InSbto Chiny.
P: Jaka jest MOQTe-InSb jednocześnie?
A: MOQTe-InSbTo 25 sztuk na raz.
Twoja wiadomość musi mieć od 20 do 3000 znaków!
