Dom
>
Produkty
>
Wafel azotowy galu
>
|
| Miejsce pochodzenia | Chiny |
| Nazwa handlowa | ZMSH |
| Orzecznictwo | ROHS |
| Numer modelu | Szablon AlN na Diamencie |
AlN na diamentowych płytkach szablonowych AlN warstwy epitaksjalne na podłożu diamentowym AlN na szafirze /AlN-on-SiC/ AlN-ON krzem
Azotek glinu (AlN) jest jednym z nielicznych materiałów niemetalicznych o wysokiej przewodności cieplnej i ma szerokie perspektywy zastosowań rynkowych.Chemical Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. zdała sobie sprawę, że dostarcza wielu klientom 2-calowe/4-calowe szablony folii z azotku aluminium na bazie diamentów, 2-calowe/4-calowe szablony folii z azotku aluminium na bazie krzemu, osadzanie z fazy gazowej monokrystalicznego azotku glinu i inne produkty , a także może opierać się na wymaganiach aplikacji.Przeprowadź dostosowany wzrost.
Zalety AIN
• Bezpośrednie pasmo wzbronione, szerokość pasma wzbronionego 6,2eV, jest ważnym materiałem luminescencyjnym w głębokim ultrafiolecie i ultrafiolecie
• Wysoka siła przebicia pola elektrycznego, wysoka przewodność cieplna, wysoka izolacja, niska stała dielektryczna, niski współczynnik rozszerzalności cieplnej, dobre właściwości mechaniczne, odporność na korozję, powszechnie stosowane w wysokiej temperaturze i wysokiej częstotliwości
Urządzenie dużej mocy
• Bardzo dobre właściwości piezoelektryczne (zwłaszcza wzdłuż osi C), które są jednymi z najlepszych materiałów do przygotowania różnego rodzaju czujników, sterowników i filtrów
• Ma bardzo zbliżoną stałą sieciową i współczynnik rozszerzalności cieplnej do kryształu GaN i jest preferowanym materiałem podłoża do heteroepitaksjalnego wzrostu urządzeń optoelektronicznych opartych na GaN.
Zalety aplikacji
• Podłoże UVC LED
Kierując się kosztami procesu oraz wymaganiami dotyczącymi wysokiej wydajności i wysokiej jednorodności, podłoże chipa UVC LED na bazie AlGaN ma dużą grubość, duży rozmiar i odpowiednie nachylenie. Fazowane podłoża szafirowe to doskonały wybór.Grubsze podłoże może skutecznie złagodzić nieprawidłowe zniekształcenie płytek epitaksjalnych spowodowane koncentracją naprężeń podczas epitaksji
Można poprawić jednorodność płytek epitaksjalnych;Większe podłoża mogą znacznie zmniejszyć efekt krawędzi i szybko obniżyć całkowity koszt chipa;Odpowiedni kąt fazowania może
Aby poprawić morfologię powierzchni warstwy epitaksjalnej lub połączyć z technologią epitaksjalną, aby utworzyć efekt lokalizacji nośnika bogatego w Ga w aktywnym obszarze studni kwantowej, aby poprawić wydajność świetlną.
• Warstwa przejściowa
Zastosowanie AlN jako warstwy buforowej może znacznie poprawić jakość epitaksjalną, właściwości elektryczne i optyczne warstw GaN.Niedopasowanie sieci między podłożem GaN i AIN wynosi 2,4%, niedopasowanie termiczne jest prawie zerowe, co może nie tylko uniknąć stresu termicznego spowodowanego wzrostem temperatury, ale także znacznie poprawić wydajność produkcji.
• Inne aplikacje
Ponadto cienkie warstwy AlN mogą być stosowane do piezoelektrycznych cienkich warstw powierzchniowych urządzeń fal akustycznych (SAW), piezoelektrycznych cienkich warstw masowych urządzeń fal akustycznych (FBAR), izolujących zakopanych warstw materiałów SOI i chłodzenia monochromatycznego
Materiały katodowe (stosowane w wyświetlaczach emisji polowej i mikrolampach próżniowych) oraz materiały piezoelektryczne, urządzenia o wysokiej przewodności cieplnej, urządzenia akustyczno-optyczne, detektory ultrafioletu i promieniowania rentgenowskiego.
Emisja pustej elektrody kolektorowej, materiał dielektryczny urządzenia MIS, warstwa ochronna magnetooptycznego nośnika zapisu.
Trzy główne produkty AlN
1. AlN-ON-Krzem
Cienkie warstwy azotku glinu (AlN) wysokiej jakości zostały z powodzeniem przygotowane na podłożu krzemowym przez osadzanie kompozytów.Szerokość połowy piku krzywej kołysania XRD (0002) jest mniejsza niż 0,9°, a chropowatość powierzchni wzrostu wynosi Ra<
1,5 nm (grubość azotku glinu 200 nm), wysokiej jakości folia z azotku aluminium pomaga zrealizować przygotowanie azotku galu (GaN) w dużych rozmiarach, wysokiej jakości i niskich kosztach.
AlN na szafirze na bazie szafiru
Wysokiej jakości AlN na szafirze (azotek glinu na bazie szafiru) przygotowany przez osadzanie kompozytu, szerokość połowy piku krzywej wahań XRD (0002) <0,05 °, chropowatość powierzchni wzrostu
Ra <1,2 nm (grubość azotku aluminium wynosi 200 nm), co nie tylko zapewnia skuteczną kontrolę jakości produktu, znacznie poprawia jakość produktu, zapewnia stabilność produktu, ale także znacznie zmniejsza
Koszt produktu i cykl produkcyjny są zmniejszone.Weryfikacja klienta pokazuje, że wysokiej jakości AlN na Sapphire z CSMC może znacznie poprawić wydajność i stabilność produktów UVC LED
Jakościowe, pomagające poprawić wydajność produktu.
3.AlN-na-diamencie na bazie diamentu
CVMC jest pierwszą na świecie i innowacyjnie opracowującą azotek glinu na bazie diamentu.Szerokość połowy piku krzywej wahań XRD (0002) jest mniejsza niż 3 °, a diament ma bardzo wysoką przewodność cieplną (przewodność cieplna w temperaturze pokojowej może
Do 2000 W/m K) Chropowatość powierzchni wzrostu Ra < 2 nm (grubość azotku glinu wynosi 200 nm), co pomaga w nowym zastosowaniu azotku glinu.
Szczegóły specyfikacji:
Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie
