Dom
>
Produkty
>
Podłoże SiC
>
|
|
| Miejsce pochodzenia | Chiny |
| Nazwa handlowa | zmkj |
| Orzecznictwo | rohs |
| Numer modelu | 4h-n |
8-calowa średnica 200 mm 4H-N Wafle SiC klasy produkcyjnej;
Podłoża SiC klasy DUMMY, podłoża z węglika krzemu do urządzenia półprzewodnikowego,
Obszary zastosowań
1 urządzenia elektroniczne wysokiej częstotliwości i dużej mocy diody Schottky'ego,
JFET, BJT, PiN, diody, IGBT, MOSFET
2 urządzenia optoelektroniczne: stosowane głównie w niebieskim materiale podłoża GaN / SiC LED (GaN / SiC) LED
Przewaga
• Niedopasowanie niskiej sieci
• Wysoka przewodność cieplna
• Niski pobór mocy
• Doskonałe charakterystyki przejściowe
• Wysokie pasmo wzbronione
Węglik krzemu z wafla krystalicznego z karborundu SiC
WŁAŚCIWOŚCI MATERIAŁU WĘGLIKA KRZEMU
| Nazwa produktu: | Krystaliczne podłoże z węglika krzemu (SiC) | ||||||||||||||||||||||||
| Opis produktu: | 2-6 cali | ||||||||||||||||||||||||
| Parametry techniczne: |
|
||||||||||||||||||||||||
| Dane techniczne: | 6H typ N 4H typ N półizolujący dia2 "x0,33mm, dia2" x0,43mm,dia2''x1mmt, 10x10mm, 10x5mm Pojedynczy lub podwójny rzut, Ra <10A | ||||||||||||||||||||||||
| Standardowe Opakowanie: | 1000 czystych pomieszczeń, 100 czystych worków lub pojedyncze opakowanie kartonowe |
2. wielkość podłoża standardowego
|
Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) o średnicy 8 cali |
|||||||||
| Gatunek | Klasa produkcyjna | Stopień naukowy | Klasa manekina | ||||||
| Średnica | 200,0 mm±0,5 mm | ||||||||
| Grubość | 500 μm ± 25 μm (lub grubość 1000um można również dostosować) | ||||||||
| Orientacja opłatka | Poza osią: 4,0° w kierunku <1120> ±0,5° dla 4H-N | ||||||||
| Gęstość mikrorur | ≤2 cm-2 | ≤10cm-2 | ≤50 cm-2 | ||||||
| Oporność | 4H-N | 0,015~0,028 Ω•cm | |||||||
| Podstawowe mieszkanie i długość | {1-100} ± 5,0 °, wycięcie | ||||||||
| Druga płaska długość | Żaden | ||||||||
| Drugorzędna orientacja płaska | Nic | ||||||||
| Wykluczenie krawędzi | 3 mm | ||||||||
| TTV/Łuk/Wypaczenie | ≤10μm /≤25μm /≤30μm// ≤15μm /≤45μm /≤50μm// ≤20μm /≤65μm /≤70μm | ||||||||
| Chropowatość | Polski Ra≤5 nm, CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||
| Pęknięcia przez światło o wysokiej intensywności | Nic | 1 dozwolony, ≤2 mm | Nie dotyczy | ||||||
| Sześciokątne płytki o wysokiej intensywności światła | Powierzchnia skumulowana ≤1% | Powierzchnia skumulowana ≤1% | Powierzchnia skumulowana ≤3% | ||||||
| Obszary Polytype przez światło o wysokiej intensywności | Nic | Powierzchnia skumulowana ≤10% | Powierzchnia skumulowana ≤30% | ||||||
| Zadrapania spowodowane światłem o dużej intensywności | 3 rysy do 1לrednica wafla o łącznej długości | 5 zadrapań do 1לrednica wafla o łącznej długości | 5 zadrapań do 1לrednica wafla o łącznej długości | ||||||
| odprysk krawędzi | Nic | 3 dozwolone, ≤0,5 mm każdy | 5 dozwolonych, każdy ≤1 mm | ||||||
| Zanieczyszczenie przez światło o wysokiej intensywności | Nic | ||||||||
Można również dostarczyć Sic wafel ＆ wlewki 2-6 cali i inny niestandardowy rozmiar.
3. Zdjęcia dostawy produktów przed
Odp.: płytki półprzewodnikowe iSoczewka optyczna, lustra, okna, filtry, pryzmaty
A:Generalnie czas dostawy wynosi około jednego miesiąca w przypadku optyki produkowanej na zamówienie. Z wyjątkiem zapasów magazynowych lub niektórych optyk specjalnych.
A:Możemy dostarczyć bezpłatne próbki, jeśli na żądanie mamy optykę zapasową, podczas gdy próbki produkowane na zamówienie nie są bezpłatne.
MOQ to 10 sztuk dla większości płytek lub soczewek, podczas gdy MOQ może być tylko jednym elementem, jeśli potrzebujesz elementu o dużym rozmiarze.
T / T, L / C, VISA, Paypal, Alipay lub negocjacje.
Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie
