Wyślij wiadomość
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Poczta: eric_wang@zmsh-materials.com TEL: 86-1580-1942596
Dom > Produkty > Podłoże SiC >
6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu
  • 6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu
  • 6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu
  • 6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu
  • 6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu
  • 6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu
  • 6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu
6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu

6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu

Miejsce pochodzenia Chiny
Nazwa handlowa ZMSH
Orzecznictwo ROHS
Numer modelu 6h-n 2 cale
Szczegóły Produktu
Materiał:
sic kryształ
Rozmiar:
2 cale
Grubość:
350um lub 330um
Powierzchnia:
CMP w si-face (c-face mp)
Kolor:
Przezroczysty
Rodzaj:
6h-n
Oporność:
0,015~0,028ohm.cm
Ra:
<0.2nm si-face
High Light: 

2-calowy wafel z podłożem SiC

,

podłoże z węglika krzemu SiC

,

wafel z węglika krzemu 6H-N

Opis produktu

 

10x10x0,5mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Wafel z węglika krzemu

2 cale 0,33 mm 0,43 mm 6H-N 4H-N podłoża SiC Wafel krzemu z węglika sic

Wysoka jakość kryształów dla wymagających energoelektroniki

Wraz z ewolucją rynków transportowych, energetycznych i przemysłowych, zapotrzebowanie na niezawodną, ​​wysokowydajną elektronikę mocy stale rośnie.Aby zaspokoić zapotrzebowanie na lepszą wydajność półprzewodników, producenci urządzeń poszukują materiałów półprzewodnikowych o szerokim pasmie wzbronionym, takich jak nasze płytki z węglika krzemu (SiC) typu 4H n klasy 4H SiC.

Kluczowe cechy

  • Optymalizuje docelową wydajność i całkowity koszt posiadania urządzeń energoelektronicznych nowej generacji
  • Płytki o dużej średnicy dla poprawy ekonomii skali w produkcji półprzewodników
  • Zakres poziomów tolerancji w celu spełnienia określonych potrzeb produkcyjnych urządzeń
  • Wysoka jakość kryształów
  • Niskie gęstości defektów

Rozmiar dla lepszej produkcji

Dzięki rozmiarowi wafla 150 mm oferujemy producentom możliwość wykorzystania ulepszonych ekonomii skali w porównaniu z produkcją urządzeń 100 mm.Nasze 150-milimetrowe wafle SiC oferują niezmiennie doskonałe właściwości mechaniczne, aby zapewnić zgodność z istniejącymi i rozwijanymi procesami produkcji urządzeń.

Dostosowane do Twoich potrzeb

Nasz materiał SiC można dostosować do wymagań dotyczących wydajności i kosztów związanych z projektowaniem urządzeń.Posiadamy możliwość produkcji wysokiej jakości wafli do urządzeń nowej generacji o niskiej gęstości defektów tak niskiej jak MPD ≤ 0,1 cm-2, TSD ≤ 400 cm-2i BPD ≤ 1500 cm-2.

Dowiedz się więcej z naszego technicznego pliku PDF na temat 150 mm płytek z węglika krzemu

Specyfikacja
Nieruchomość
4H-SiC, pojedynczy kryształ
6H-SiC, pojedynczy kryształ
Parametry sieci
a=3,076 Å c=10,053 Å
a=3,073 Å c=15,117 Å
Sekwencja układania
ABCB
ABCACB
Twardość Mohsa
≈9.2
≈9.2
Gęstość
3,21 g/cm3
3,21 g/cm3
Therm.Współczynnik rozszerzalności
4-5×10-6/K
4-5×10-6/K
Indeks załamania @750nm
nie = 2,61
ne = 2,66
nie = 2,60
ne = 2,65
Stała dielektryczna
c ~ 9,66
c ~ 9,66
Przewodność cieplna (typ N, 0,02 om.cm)
a~4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K
 
Przewodność cieplna (półizolacyjna)
a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K
a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K
Przerwa pasmowa
3,23 eV
3,02 eV
Awaria pola elektrycznego
3-5×106V/cm
3-5×106V/cm
Prędkość dryfu nasycenia
2,0×105m/s
2,0×105m/s

6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu 06H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu 16H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu 2

6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu 36H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu 4

Powiązane Wafle SIC w magazynie:

2 cale 330um 4H-N/4H-Semi/6H-Semi sic wafelki Klasa manekina / klasa badawcza / klasa produkcyjna

3 cale 350um 4H-N/4H-Semi HPSI sic wafle Klasa manekina / Klasa badawcza / Klasa produkcyjna

4 cale 350um 4H-N/500um HPSI 4H-semi sic wafle Klasa manekina / klasa badawcza / klasa produkcyjna

6 cali 350um 4H-N/500um 4H-półsycowe wafle Klasa manekina / klasa badawcza / klasa produkcyjna

P: Jaki jest sposób wysyłki i koszt?

(1) akceptujemy DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF itp.
(2) Jeśli masz własne konto ekspresowe, to świetnie.

P: Jak zapłacić?

(1) T/T, PayPal, West Union, MoneyGram i
Płatność asekuracyjna na Alibaba itp.
(2) Opłata bankowa: West Union ≤ 1000,00 USD),
T / T -: ponad 1000 usd, proszę o t / t

P: Jaki jest czas dostawy?

(1) W przypadku zapasów: czas dostawy wynosi 5 dni roboczych.
(2) W przypadku produktów niestandardowych: czas dostawy wynosi od 7 do 25 dni roboczych.Według ilości.

P: Czy mogę dostosować produkty do moich potrzeb?

Tak, możemy dostosować materiał, specyfikacje i powłokę optyczną do Twoich komponentów optycznych w zależności od Twoich potrzeb.

Tagi:

wafel sic,

substrat sic,

podłoże z węglika krzemu

rekomendowane produkty

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86-1580-1942596
Rm5-616, nr 851, aleja Dianshanhu, obszar Qingpu, miasto Szanghaj, CHINY
8615801942596
eric406337393
eric_wang@zmsh-materials.com
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas