10x10x0,5mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Wafel z węglika krzemu
Wysoka jakość kryształów dla wymagających energoelektroniki
Wraz z ewolucją rynków transportowych, energetycznych i przemysłowych, zapotrzebowanie na niezawodną, wysokowydajną elektronikę mocy stale rośnie.Aby zaspokoić zapotrzebowanie na lepszą wydajność półprzewodników, producenci urządzeń poszukują materiałów półprzewodnikowych o szerokim pasmie wzbronionym, takich jak nasze płytki z węglika krzemu (SiC) typu 4H n klasy 4H SiC.
Niezawodny i gotowy
ZMSH oferuje producentom urządzeń spójne, wysokiej jakości podłoże do opracowywania wysokowydajnych urządzeń zasilających.Nasze podłoża SiC są produkowane z kryształowych wlewków najwyższej jakości przy użyciu opatentowanych, najnowocześniejszych technik wzrostu fizycznego transportu pary (PVT).Zaawansowane techniki produkcji wafli są wykorzystywane do przekształcania sztabek w wafle, aby zapewnić niezmienną, niezawodną jakość, której potrzebujesz.
Kluczowe cechy
- Optymalizuje docelową wydajność i całkowity koszt posiadania urządzeń energoelektronicznych nowej generacji
- Płytki o dużej średnicy dla poprawy ekonomii skali w produkcji półprzewodników
- Zakres poziomów tolerancji w celu spełnienia określonych potrzeb produkcyjnych urządzeń
- Wysoka jakość kryształów
- Niskie gęstości defektów
Rozmiar dla lepszej produkcji
Dzięki rozmiarowi wafla 150 mm oferujemy producentom możliwość wykorzystania ulepszonych ekonomii skali w porównaniu z produkcją urządzeń 100 mm.Nasze 150-milimetrowe wafle SiC oferują niezmiennie doskonałe właściwości mechaniczne, aby zapewnić zgodność z istniejącymi i rozwijanymi procesami produkcji urządzeń.
Dostosowane do Twoich potrzeb
Nasz materiał SiC można dostosować do wymagań dotyczących wydajności i kosztów związanych z projektowaniem urządzeń.Posiadamy możliwość produkcji wysokiej jakości wafli do urządzeń nowej generacji o niskiej gęstości defektów tak niskiej jak MPD ≤ 0,1 cm-2, TSD ≤ 400 cm-2i BPD ≤ 1500 cm-2.
Dowiedz się więcej z naszego technicznego pliku PDF na temat 150 mm płytek z węglika krzemu
|
Nieruchomość
|
4H-SiC, pojedynczy kryształ
|
6H-SiC, pojedynczy kryształ
|
|
Parametry sieci
|
a=3,076 Å c=10,053 Å
|
a=3,073 Å c=15,117 Å
|
|
Sekwencja układania
|
ABCB
|
ABCACB
|
|
Twardość Mohsa
|
≈9.2
|
≈9.2
|
|
Gęstość
|
3,21 g/cm3
|
3,21 g/cm3
|
|
Therm.Współczynnik rozszerzalności
|
4-5×10-6/K
|
4-5×10-6/K
|
|
Indeks załamania @750nm
|
nie = 2,61
ne = 2,66
|
nie = 2,60
ne = 2,65
|
|
Stała dielektryczna
|
c ~ 9,66
|
c ~ 9,66
|
|
Przewodność cieplna (typ N, 0,02 om.cm)
|
a~4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K
|
|
|
Przewodność cieplna (półizolacyjna)
|
a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K
|
a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K
|
|
Przerwa pasmowa
|
3,23 eV
|
3,02 eV
|
|
Awaria pola elektrycznego
|
3-5×106V/cm
|
3-5×106V/cm
|
|
Prędkość dryfu nasycenia
|
2,0×105m/s
|
2,0×105m/s
|
P: Jaki jest sposób wysyłki i koszt?
(1) akceptujemy DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF itp.
(2) Jeśli masz własne konto ekspresowe, to świetnie.
P: Jak zapłacić?
(1) T/T, PayPal, West Union, MoneyGram i
Płatność asekuracyjna na itp.
(2) Opłata bankowa: West Union ≤ 1000,00 USD),
T / T -: ponad 1000 usd, proszę o t / t
P: Jaki jest czas dostawy?
(1) W przypadku zapasów: czas dostawy wynosi 5 dni roboczych.
(2) W przypadku produktów niestandardowych: czas dostawy wynosi od 7 do 25 dni roboczych.Według ilości.
P: Czy mogę dostosować produkty do moich potrzeb?
Tak, możemy dostosować materiał, specyfikacje i powłokę optyczną do Twoich komponentów optycznych w zależności od Twoich potrzeb.
Twoja wiadomość musi mieć od 20 do 3000 znaków!
