Wafel GaN o wysokiej sprawności energetycznej Wafel z azotku galu do energooszczędnego oświetlenia

2-calowa metoda HVPE Nitride z Gaitem Gaitowym, wolnostojące substraty GaN do aplikacji LED, chipy GaN 10x10mm, wafle GaN HVPE

Informacje o funkcji GaN Wprowadzenie

Rosnące zapotrzebowanie na szybką, wysokotemperaturową i wysoką moc obliczeniową sprawiło, że przemysł półprzewodników firmy madethe ponownie zastanawia się nad wyborem materiałów stosowanych jako półprzewodniki. Na przykład,

gdy pojawiają się różne szybsze i mniejsze urządzenia komputerowe, użycie krzemu utrudnia utrzymanie Prawa Moore'a. Ale także w energoelektronice, więc półprzewodnikowy GaN jest uprawiany na potrzeby.

Ze względu na swoje wyjątkowe właściwości (wysoki prąd maksymalny, wysokie napięcie przebicia i wysoką częstotliwość przełączania), Galit Nitride GaN jest unikalnym materiałem z wyboru w rozwiązywaniu problemów energetycznych przyszłości. Systemy oparte na GaN charakteryzują się wyższą sprawnością energetyczną, co zmniejsza straty mocy, przełącza na wyższą częstotliwość, zmniejszając w ten sposób rozmiar i wagę.

Technologia GaN jest stosowana w wielu aplikacjach o dużej mocy, takich jak przemysłowe, konsumenckie i serwerowe zasilacze, energia słoneczna, przemienniki częstotliwości i zasilacze UPS, a także samochody hybrydowe i elektryczne. Ponadto,

GaN idealnie nadaje się do zastosowań radiowych, takich jak komórkowe stacje bazowe, radary i telewizja kablowa

infrastruktura w sektorach sieciowych, lotniczym i obronnym, dzięki wysokiej wytrzymałości na przebicie, niskiemu poziomowi szumu i wysokiej liniowości.

Aplikacje

Dane techniczne dla podłoża GaN LED