Wynik wyszukiwania

Dom Produkty semiconductor wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[semiconductor wafer ]

dopasowanie

573

Produkty

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty semiconductor wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ semiconductor wafer ] dopasowanie 573 Produkty

wideo

4-inch C-Plane SSP Sapphire Substrate Al₂O₃ for LED & Optical Applications

Uzyskaj najlepszą cenę

Aluminiowy Metal Al Jednokrystaliczny Substrat SSP DSP Niestandardowe wymiary obwodu zintegrowanego Grubość produkcji 0,5 mm 1,0 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowy podłoże pojedynczego kryształu węglanu krzemu duży rozmiar średnica wysokiej czystości 300 mm Produkt do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Wyhodowany Sapphire Crystal Boule Sapphire Ingot metodą KY Kyropoulos 80 kg-300 kg

Uzyskaj najlepszą cenę

kupować Półautomatyczna maszyna do wiązania w temperaturze pokojowej 2/4/6/8/12 cali Materiał kompatybilny Sapphire Si SiC InP GaAs GaN LT/LN Diamentowe szkło produkcja online

Półautomatyczna maszyna do wiązania w temperaturze pokojowej 2/4/6/8/12 cali Materiał kompatybilny Sapphire Si SiC InP GaAs GaN LT/LN Diamentowe szkło

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

3 cali HPSI SiC grubość podłoża 500um Prime Dummy Research Grade Translucent Optical Grade dla okularów AR

Uzyskaj najlepszą cenę

Opcja podłoża z węglanu krzemu (SiC) dla zastosowań przemysłowych o wysokim standardzie

Uzyskaj najlepszą cenę

Customized SiC Ceramic Suction Cups for Lithography Applications

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat N-GaAs VCSEL epiwafer 6 cali orientacja GaAs 100 111 długość fali 940nm dla Gigabit Ethernet

Uzyskaj najlepszą cenę

Sprzęt do wiązania anodowego termokompresji Si Cu Al-Ge Materiał 600 °C 2-8 cali

Uzyskaj najlepszą cenę

37 38 39 40 41 42 43 44

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

[semiconductor wafer ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

4-inch C-Plane SSP Sapphire Substrate Al₂O₃ for LED & Optical Applications

Aluminiowy Metal Al Jednokrystaliczny Substrat SSP DSP Niestandardowe wymiary obwodu zintegrowanego Grubość produkcji 0,5 mm 1,0 mm

12-calowy podłoże pojedynczego kryształu węglanu krzemu duży rozmiar średnica wysokiej czystości 300 mm Produkt do komunikacji 5G

Wyhodowany Sapphire Crystal Boule Sapphire Ingot metodą KY Kyropoulos 80 kg-300 kg

Półautomatyczna maszyna do wiązania w temperaturze pokojowej 2/4/6/8/12 cali Materiał kompatybilny Sapphire Si SiC InP GaAs GaN LT/LN Diamentowe szkło

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

3 cali HPSI SiC grubość podłoża 500um Prime Dummy Research Grade Translucent Optical Grade dla okularów AR

Opcja podłoża z węglanu krzemu (SiC) dla zastosowań przemysłowych o wysokim standardzie

​​Customized SiC Ceramic Suction Cups for Lithography Applications​​

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

Substrat N-GaAs VCSEL epiwafer 6 cali orientacja GaAs 100 111 długość fali 940nm dla Gigabit Ethernet

Sprzęt do wiązania anodowego termokompresji Si Cu Al-Ge Materiał 600 °C 2-8 cali

Customized SiC Ceramic Suction Cups for Lithography Applications

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts