szczegółowe informacje o produktach

Dom Produkty

8inch sapphire wafer：Synthetic Single‑Crystal Al₂O₃ customizable A/R/M‑plane 4N5‑5N High Purity

Nazwa marki:	ZMSH
Numer modelu:	8-calowa płytka safirowa
MOQ:	25
Cena:	Fluctuates with market
Czas dostawy:	2-4 tygodnie
Warunki płatności:	T/T

Szczegółowe informacje

Opis produktu

Szczegółowe informacje

Miejsce pochodzenia:

Szanghaj, Chiny

Tworzywo:

Syntetyczny monokryształ Al₂O₃ (szafir)

Średnica:

8 cali (200 mm)

Orientacja kryształowa:

Płaszczyzna C (0001), konfigurowalna płaszczyzna A/R/M

Wykończenie powierzchni:

SSP (polerowany jednostronnie) / DSP (polerowany dwustronnie)

Grubość:

Dostosowane, typowo 650μm–1000μm

Czystość:

4N5-5N Wysoka czystość

Opis produktu

Product Overview The 8-inch (200mm) sapphire wafer is a large-format semiconductor substrate fabricated from high-purity synthetic single-crystal alumina (α-Al₂O₃). It serves as a core foundational substrate for LED epitaxy, GaN power devices and RF optoelectronic devices in the third-generation semiconductor industry. The single-crystal ingot is predominantly grown via the Kyropoulos method, and processed through precision procedures including multi-wire slicing, lapping and

Tagi:

niestandardowe szkło szafirowe

podłoże szafirowe

szafirowa optyka

ZAŁĄCZONE PRODUKTY

Sapphire Tube：Precision Secondary Machining Capability Broad-Spectrum High Transmittance

Uzyskaj najlepszą cenę

12 inch Sapphire Wafer：C-plane SSP / DSP Optoelectronic Devices 12 inch Industrial Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer