Płytka szafirowa C-Plane do A 1° off 99.999% Al2O3 Średnica 2"3"4"6"8" Dostosuj Grubość

Sapphire Wafer C-Plane do A 1° Off, 99,999% Al2O₃, Prężnica 2"/3"/4"/6"/8", grubość niestandardowa

To...wysoce precyzyjna płytka szafirowacechy aPłaszczyzna C do osi A 1° orientacja odciętaa także990,999% (5N) czystości, zoptymalizowany do lepszego wzrostu epitaksyalnego w zaawansowanych zastosowaniach optoelektronicznych i półprzewodnikowych.średnice standardowe (2" do 8")z dostosowywalnymi grubościami zapewnia wyjątkową jednolitość kryształkową, bardzo niską gęstość wad i wyjątkową stabilność termiczną/chemiczną.Kontrolowany kąt odcięcia 1 ° zwiększa epitaxyę GaN i AlN poprzez zmniejszenie defektów stopniowego gromadzenia, co czyni go idealnym dla wysokiej wydajności diod LED, diod laserowych, elektroniki mocy i urządzeń RF.

Główne cechy płytki safirowej

Dokładna orientacja odcięcia

Płaszczyzna C do osi A 1° ±0,1° odcięcie, zaprojektowane w celu poprawy jednolitości płyty epitaksyalnej i zminimalizowania wad w urządzeniach opartych na GaN.

Ultrawysoka czystość (5N Al)2O3)

990,999% czystościz śladowymi zanieczyszczeniami (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, zapewniając optymalne osiągi elektryczne i optyczne.

Prężnice: 2", 3", 4", 6", 8" (tolerancja ± 0,1 mm).

Gęstość: od 100 μm do 1500 μm (tolerancja ± 5 μm), dostosowane do konkretnych zastosowań.

Polish gotowy do użycia w epi: Ra <0,5 nm (strona przednia) w przypadku bezbłędnego osadzania cienkich folii.

Stabilność termiczna: Punkt topnienia ~ 2,050°C, odpowiedni do procesów wysokotemperaturowych (MOCVD, MBE).

Przejrzystość optyczna: > 85% przepuszczalności (UV do średniej IR: 250 nm ∼ 5000 nm).

Wzmocnienie mechaniczne: 9 twardość Mohsa, odporność na ety chemiczne i ścieranie.

Wykorzystanie płytki safirowej

Optoelektronika

Diody LED/diody laserowe oparte na GaN: niebieskie/UV diody LED, mikro-diody LED i VCSEL.

Okna laserowe o dużej mocy: CO2 i składniki laserowe excimerów.

Elektryka energetyczna i radiowa

HEMT (transistory o wysokiej mobilności elektronicznej): wzmacniacze mocy 5G/6G i systemy radarowe.

Diody Schottky i MOSFETy: Urządzenia wysokonapięciowe dla pojazdów elektrycznych.

Przemysł i obrona

Okna IR i kopuły rakietowe: Wysoka przejrzystość w trudnych warunkach.

Czujniki safiru: pokrycia odporne na korozję do monitorowania przemysłowego.

Technologie kwantowe i naukowe

Substraty do superprzewodzących kubitów(przeliczanie kwantowe).

Kryształy SPDC (Spontaneous Parametric Down-Conversion)dla optyki kwantowej.

Półprzewodniki i MEMS

Płytki SOI (Silicon-on-Isolator)dla zaawansowanych układów integracyjnych.

czujniki ciśnienia MEMSWymagają chemicznej obojętności.

Specyfikacje

Pytania i odpowiedzi

Q1: Czy mogę poprosić o inny kąt odcięcia (np. 0,5° lub 2°)?
A2: - Tak, to prawda.Dostępne są niestandardowe kąty odcięcia (0,2° ∼5°) z tolerancją ±0,1°.

P2: Jaka jest maksymalna dostępna grubość?
A6:Do1,500 μm (1,5 mm)dla stabilności mechanicznej w zastosowaniach o wysokim obciążeniu.

P3: Jak należy przechowywać płytki, aby zapobiec zanieczyszczeniu?
A10:PrzechowywaćKasety zgodne z wymogami czystych pomieszczeńlub szafki azotowe (20-25°C, wilgotność < 40%).