|
| Nazwa marki: | zmsh |
| Numer modelu: | 6inch-001 |
| MOQ: | 1SZT |
| Cena £: | by case by FOB |
| Czas dostawy: | w ciągu 40 dni |
6-calowe podłoża sic, 6-calowe wafle sic, wlewki sic crystal,
sic krystaliczny blok, sic podłoża półprzewodnikowe,Wafel z węglika krzemu
| Średnica 6 cali, specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) | ||||||||
| Stopień | Zerowa klasa MPD | Klasa produkcyjna | Stopień naukowy | Klasa manekina | ||||
| Średnica | 150,0 mm ± 0,2 mm | |||||||
| GrubośćΔ | 350 μm±25μm lub 500±25un | |||||||
| Orientacja opłatka | Poza osią : 4,0° w kierunku< 1120> ±0,5° dla 4H-N Na osi : <0001>±0,5° dla 6H-SI/4H-SI | |||||||
| Mieszkanie podstawowe | {10-10}±5,0° | |||||||
| Podstawowa długość płaska | 47,5 mm±2,5 mm | |||||||
| Wykluczenie krawędzi | 3 mm | |||||||
| TTV/Łuk/Wypaczenie | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | |||||||
| Gęstość mikrorur | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤100 cm-2 | ||||
| Oporność | 4H-N | 0,015~0,028 Ω·cm | ||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
| Chropowatość | Polski Ra≤1 nm | |||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||
| Pęknięcia przez światło o dużej intensywności | Nic | 1 dozwolony, ≤2 mm | Łączna długość ≤ 10 mm, pojedyncza długość ≤ 2 mm | |||||
| Sześciokątne płytki o wysokiej intensywności światła | Powierzchnia skumulowana ≤1% | Powierzchnia skumulowana ≤2% | Powierzchnia skumulowana ≤5% | |||||
| Obszary Polytype przez światło o wysokiej intensywności | Nic | Powierzchnia skumulowana ≤ 2% | Powierzchnia skumulowana ≤ 5% | |||||
| Zadrapania spowodowane światłem o dużej intensywności | 3 rysy do 1לrednica wafla o łącznej długości | 5 zadrapań do 1לrednica wafla o łącznej długości | 5 zadrapań do 1לrednica wafla o łącznej długości | |||||
| Chip krawędzi | Nic | 3 dozwolone, ≤0,5 mm każdy | 5 dozwolonych, każdy ≤1 mm | |||||
| Zanieczyszczenie przez światło o dużej intensywności | Nic | |||||||
wideo
