Produkty

Dom > Produkty > Wafel indofosforowy > Powierzchnia o wysokiej refrakcji DSP GE Germanium Wafel

Kategorie

Opakowanie laboratoryjne

(25)

Kontakty

Kontakty: Mr. Wang

TEL:: 86-1580-1942596

Skontaktuj się teraz

Wyślij nam wiadomość.

Powierzchnia o wysokiej refrakcji DSP GE Germanium Wafel

Name: Powierzchnia o wysokiej refrakcji DSP GE Germanium Wafel
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: Ge-optyczne
Price: 50,002.00 USD
Availability: InStock

Szczegóły Produktu

Miejsce pochodzenia: CHINY

Nazwa handlowa: zmkj

Numer modelu: Ge-optyczne

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 3 szt

Cena: by case

Szczegóły pakowania: etui na jeden wafel

Czas dostawy: 1-4 tygodni

Możliwość Supply: 1000 sztuk / miesiąc

Uzyskaj najlepszą cenę

Szczegóły Produktu

Opis produktu

Podkreślić: 
                                                                                                                                                                                                                                                Wafel z germanu powierzchniowego DSP, wafelek z germanu o wysokiej refrakcji, wafel z powierzchnią DSP ge
                              

Materiały:	Ge pojedynczy kryształ	PRZEMYSŁ:	podłoża półprzewodnikowe, urządzenia, optyczne
Kolor:	Czarny	Średnica:	0,5 ~ 150 mm
Powierzchnia:	DSP	Grubość:	0,1-100 mm

Materiały:	Ge pojedynczy kryształ
PRZEMYSŁ:	podłoża półprzewodnikowe, urządzenia, optyczne
Kolor:	Czarny
Średnica:	0,5 ~ 150 mm
Powierzchnia:	DSP
Grubość:	0,1-100 mm

Powierzchnia o wysokiej refrakcji DSP GE Germanium Wafel

2-calowe 4-calowe 6-calowe wafle monokrystaliczne z domieszką germanu typu P,

Płytki optyczne monokrystaliczne germanu

Ge wafel / okno Ge

German (Ge) jest preferowanym materiałem na soczewki i okna w wysokowydajnych systemach obrazowania w podczerwieni w paśmie długości fali 8–12 um.Jego wysoki współczynnik załamania sprawia, że Ge idealnie nadaje się do systemów obrazowania o małej mocy ze względu na minimalną krzywiznę powierzchni.Aberracja chromatyczna jest niewielka, często eliminując potrzebę korekty.

Właściwości ogólne
Struktura właściwości ogólnych	Sześcienny, a = 5,6754 Å
	Gęstość: 5,765 g/cm3
	Temperatura topnienia: 937,4 oC
	Przewodność cieplna: 640
Technologia wzrostu kryształów	Czochralski
Dostępny doping	Niedomieszkowane	Sb Doping	Doping In lub Ga
Typ przewodzący	/	N	P
Rezystywność, cm-1	>35	< 0,05	0,05 - 0,1
EPD	< 4x10^3/cm2	< 4x10^3/cm2	< 4x10^3/cm2


Stopnie i zastosowanie kryształów
(proszę określić przy składaniu zamówienia) Stopień elektroniczny	Stosowany do diod i tranzystorów
Stopień podczerwieni	Używany do okna optycznego IR
Stopień komórki	Stosowany do podłoży ogniw słonecznych


Standardowe specyfikacje Ge Crystal i płytek
Orientacja kryształów	<111>,<100> i <110> ± 0,5° lub orientacja niestandardowa
Kryształowa kula w miarę wzrostu	Średnica 1 "~ 5" x długość 200 mm
Standardowy półfabrykat w stanie ciętym	1 "x 0,5 mm	2" x 0,6 mm	4" x 0,7 mm	5 "i 6" x 0,8 mm
Standardowy polerowany wafel (polerowany z jednej / dwóch stron)	1 "x 0,30 mm	2" x 0,5 mm	4" x 0,5 mm	5 "i 6" x 0,6 mm

German jest również najczęściej stosowany w soczewkach i oknach w systemach IR działających w zakresie 2 um - 12 um.Jego transmisja jest bardzo wrażliwa na temperaturę, staje się nieprzezroczysta w pobliżu 100°C.Środowisko nie stwarza problemów, ponieważ german jest obojętny, wytrzymały mechanicznie i dość twardy.
German to materiał o wysokim współczynniku, który jest używany do produkcji pryzmatów z tłumionym całkowitym odbiciem (ATR) do spektroskopii.Jego współczynnik załamania jest taki, że german stanowi skuteczny naturalny 50% rozdzielacz wiązki bez konieczności stosowania powłok.Jest również szeroko stosowany jako substrat do produkcji filtrów optycznych.German obejmuje całe pasmo termiczne 8-14 mikronów i jest stosowany w systemach soczewek do obrazowania termicznego.Może być pokryty AR diamentem, co daje niezwykle wytrzymałą optykę przednią.
Zastosowanie jako okno, soczewka, rozdzielacz wiązki, pryzmat ATR lub filtr w spektrometrach i obrazowaniu termicznym.

Specyfikacje dla okien Ge:

Materiał:	Ge
Tolerancja wymiaru	+0,0, -0,1 mm
Tolerancja grubości:	± 0,1 mm
Jakość powierzchni:	60/40
Wyczyść przysłonę:	>85%
Płaskość:	λ na 25 mm
Równoległość:	3'
Ukos:	<0,25 mm x 45°
Powłoka:	Na żądanie

Charakterystyka materiałów

Pozycja B270 CaF2 Ge MgF2 N-BK7 Sapphire Si UV Fused Sillca
Współczynnik załamania (nd) 1,523 1,434 1,003 1,413 1,517 1,768 3,422 1,458
Współczynnik dyspersji (Vd)58,5 95,1 nie dotyczy 106,2 64,2 72,2 nie dotyczy 67,7
Gęstość (g/cm3) 2,55 3,18 5,33 3,18 2,46 3,97 2,33 2,20
TCE(μm/m℃) 8,2 18,85 6,1 13,7 7,1 5,3 2,55 0,55
Temperatura zmiękczania (℃) 533 800 936 1255 557 2000 1500 1000
Twardość Knoopa (kg/mm2) 542 158,3 780 415 610 2200 1150 500

Powierzchnia o wysokiej refrakcji DSP GE Germanium Wafel 0

Często zadawane pytania

P: Dlaczego warto wybrać ZMKJ?

A.ZMKJ posiada fabrykę oferującą na zamówienie zróżnicowane wysokiej jakości produkty optyczne i półpłytki.

B. Kompletny zestaw handlu służy terminowo.

C. Stabilna dostawa, ogólny czas produkcji: 7-20 dni.

P: jak zapłacić?

100% z góry przed dostawą przez TT, paypal, Alipay.Firma kurierska wybiera DHL, Fedex, SF, EMS.

Tags:

Podłoże germanium GE Lampy okienne Soczewki optyczne Aplikacje do obrazowania cieplnego I spektroskopia podczerwona Wysoka twardość

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Powierzchnia o wysokiej refrakcji DSP GE Germanium Wafel

Wafel z germanu powierzchniowego DSP

wafelek z germanu o wysokiej refrakcji

wafel z powierzchnią DSP ge

substrat mgo,

opłatek,

wafel

InAs Arsenek indyjowy 2c. 3c. 4c. Substrat jednokrystaliczny N/P Typ półprzewodnika Grubość płytki 300-800um

Podłoże germanium GE Lampy okienne Soczewki optyczne Aplikacje do obrazowania cieplnego I spektroskopia podczerwona Wysoka twardość

Substraty półprzewodnikowe płytek germanowych <111> Koncentrujące fotovoltaiczne CPV

Tlenek magnezu czystość 95% MgO Film Substrat 5x5 10x10 20x20 Grubość 0,5 mm 1,0 mm Orientacja <001> <110> <111>

InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphide Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer Do Inteligentnego wykrywania

InAs Wafer Doped Zn 2 Inch Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Grubość 500um <100> Na zamówienie

Wafer DFB N-InP podłoża epiwafer warstwa aktywna InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 cali dla czujnika gazu

DFB Epiwafer InP Substrat MOCVD Metoda 2 4 6 cali Długość fali 1,3 μm, 1,55 μm

FP Epiwafer InP Warstwa kontaktowa podłoża InGaAsP Dia 2 3 4 cali Dla pasma długości fali OCT 1,3um

InP FP epiwafer InP substrat n/p typu 2 3 4 cali o grubości 350-650um do sieci optycznej

2 cala MgO grubość płytki 500um Orientacja<100> Kryształ tlenku magnezu Kryształ dostosowany

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny