Dom ProduktyWafel azotowy galu

2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED

Najlepsze produkty
Im Online Czat teraz

2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED

2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED
2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED 2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED

Duży Obraz :  2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: CHINY
Nazwa handlowa: zmkj
Numer modelu: Szablony GaN
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 5 szt
Cena: by case
Szczegóły pakowania: pojedynczy wafelek w 100-stopniowej pralni
Czas dostawy: 2-4 tygodnie
Zasady płatności: L/C, T/T

2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED

Opis
Materiał: GaN epi na nośniku Sapphire metoda: HVPE
rozmiar: 2 cale Grubość: 430um
przemysł: LD, dioda LED, urządzenie laserowe, detektor, Powierzchnia: jednostronnie polerowana
High Light:

substrat gan

,

szablon gan

2-calowy szablon substratów GaN, wafel GaN dla LeD, półprzewodnikowy wafel azotku galu dla Ld, szablon GaN, wafel mocvd GaN,

Specyfikacja GaN / Funkcje specjalne:

  1. Azotek galu (GaN) jest bardzo twardym materiałem, który ma wurtzową strukturę krystaliczną i prawdopodobnie jest najważniejszym materiałem półprzewodnikowym jako półprodukt trzeciej generacji.
  2. Może być używany do emitowania świetlistego światła w postaci diod elektroluminescencyjnych (LED) i diod laserowych, a także jako kluczowy materiał dla tranzystorów wysokiej mocy o wysokiej mocy nowej generacji zdolnych do pracy w wysokich temperaturach.
  3. Płytki epitaksjalne na bazie GaN (Sapphire, SiC) Płytki epitaksjalne są hodowane metodą MBE lub MOCVD, jednowarstwowe lub wielowarstwowe na podłożach szafirowych o średnicy do 4 cali.

III-azotek (GaN, AlN, InN) Niedozwolona szerokość pasma (emitowanie światła i absorpcja) pokrywa ultrafiolet,

światło widzialne i podczerwień.GaN może być stosowany w wielu obszarach, takich jak wyświetlacz LED, wykrywanie wysokoenergetyczne

i obrazowanie, wyświetlacz laserowy, urządzenie zasilające itp.



Dane techniczne:

2 "szablony GaN

  Pozycja

GaN-TN

GaN-TS

Wymiary

Ф 2 "

  Grubość

15 μm, 20 μm, 30 μm, 40 μm

30 μm, 90 μm

  Orientacja

Oś C (0001) ± 1 °

Typ przewodzenia

Typ N

Półizolacja

  Oporność (300K)

<0,05 Ω · cm

> 10 6 Ω · cm

  Gęstość dyslokacji

Mniej niż 1x10 8 cm -2

Struktura podłoża


Gruby GaN na 430um lub 330um Sapphire (0001)

  Powierzchnia użytkowa

> 90%

Polerowanie

Standard: Opcja SSP: DSP

  Pakiet

Pakowane w środowisku czystych pomieszczeń klasy 100, w kasetach po 25 szt. Lub w pojedynczych pojemnikach waflowych, w atmosferze azotu.



-FAQ -
P: Co możesz dostarczyć logistykę i koszty?
(1) Akceptujemy DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF przez FOB.
P: Jaki jest czas dostawy?
(1) Dla standardowych produktów, takich jak 2-calowy wafel o wadze 0,33 mm.
Dla ekwipunku: dostawa jest 5 dni roboczych po zamówieniu.
W przypadku produktów niestandardowych: dostawa wynosi 2 lub 3 tygodnie po zamówieniu.
P: Jak zapłacić?
100% T / T Z góry, Paypal, West Union, MoneyGram,


Szczegóły kontaktu
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Osoba kontaktowa: Wang

Tel: +8615801942596

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)