Dom ProduktyPodłoże SiC

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych

Im Online Czat teraz

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych
2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych 2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych 2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych

Duży Obraz :  2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: CHINY
Nazwa handlowa: zmkj
Numer modelu: 4 cale - N, 4H-pół
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1SZT
Cena: by required
Szczegóły pakowania: Pakowane w środowisku czystych pomieszczeń klasy 100, w kasetach z pojedynczymi pojemnikami na opłat
Czas dostawy: 10-20 dni
Możliwość Supply: 100 sztuk / miesięcy

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych

Opis
Materiał: kryształ sic przemysł: wafel półprzewodnikowy
Podanie: półprzewodnik, dioda LED, urządzenie, elektronika mocy, 5G kolor: niebieski, zielony, biały
Rodzaj: 4H, 6H, DOPED, bez domieszki, wysoka czystość
High Light:

podłoże z węglika krzemu

,

substrat sic

4 cale dia100m Typ 4H-N Gatunek produkcyjny Podłoża SiC klasy DUMMY, podłoża z węglika krzemu do urządzeń półprzewodnikowych,

 

Obszary zastosowań

 

1 urządzenia elektroniczne wysokiej częstotliwości i dużej mocy diody Schottky'ego,

 

JFET, BJT, PiN, diody, IGBT, MOSFET

 

2 urządzenia optoelektroniczne: stosowane głównie w diodach LED GaN / SiC z niebieskim materiałem podłoża (GaN / SiC)

 

Korzyść

• Niskie niedopasowanie sieci
• Wysoka przewodność cieplna
• Niskie zużycie energii
• Doskonałe właściwości przejściowe
• Duża przerwa energetyczna

 

 

Karborund wafla węglika krzemu SiC

WŁAŚCIWOŚCI MATERIAŁU WĘGLIKA KRZEMU

Nazwa produktu: Podłoże krystaliczne z węglika krzemu (SiC)
Opis produktu: 2-6 cali
Parametry techniczne:
Struktura komórkowa Sześciokątny
Stała krata a = 3,08 A c = 15,08 A
Priorytety ABCACB (6 godz.)
Metoda wzrostu MOCVD
Kierunek Oś wzrostu lub częściowa (0001) 3,5 °
Polerowanie Polerowanie powierzchni Si
Pasmo zabronione 2,93 eV (pośrednio)
Typ przewodności N lub seimi, wysoka czystość
Oporność 0,076 om-cm
Przenikalność e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Przewodność cieplna przy 300K 5 W / cm.K.
Twardość 9.2 Mohs
Specyfikacje: 6H Typ N 4H Półizolacyjny typ N, średn. 2 "x 0,33 mm, śr. 2" x 0,43 mm, śred. 2 "x 1mm, 10x10mm, 10x5mm Pojedynczy lub podwójny rzut, Ra <10A
Standardowe Opakowanie: 1000 czystych pomieszczeń, 100 czystych worków lub pojedyncze opakowanie

 

2. standardowe rozmiary nośników

Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) o średnicy 4 cali

Stopień Zero klasy MPD Klasa produkcyjna Stopień badawczy Dummy Grade
Średnica 100,0 mm ± 0,5 mm
Grubość 350 μm ± 25 μm (grubość 200-500um również jest w porządku)
Orientacja opłatka Poza osią: 4,0 ° w kierunku <1120> ± 0,5 ° dla 4H-N / 4H-SI Na osi: <0001> ± 0,5 ° dla 6H-N / 6H-SI / 4H-N / 4H-SI
Gęstość mikroporów ≤1 cm-2 ≤5 cm-2 ≤15 cm-2 ≤50 cm-2
Oporność 4H-N 0,015 ~ 0,028 Ω • cm
6H-N 0,02 ~ 0,1 Ω • cm
4 / 6H-SI ≥1E5 Ω · cm
Podstawowy Płaski i długość {10–10} ± 5,0 °, 32,5 mm ± 2,0 mm
Dodatkowa płaska długość 18,0 mm ± 2,0 mm
Dodatkowa orientacja płaska Silikon skierowany do góry: 90 ° CW.od Prime flat ± 5,0 °
Wykluczenie krawędzi 3 mm
TTV / Bow / Warp ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
Chropowatość Polski Ra≤1 nm, CMP Ra≤0,5 nm
Pęknięcia spowodowane światłem o wysokiej intensywności Żaden 1 dozwolone, ≤2 mm Łączna długość ≤ 10 mm, pojedyncza długość ≤ 2 mm
Sześciokątne płyty o wysokiej intensywności światła Łączna powierzchnia ≤1% Łączna powierzchnia ≤1% Łączna powierzchnia ≤3%
Obszary Polytype o wysokiej intensywności światła Żaden Łączna powierzchnia ≤2% Łączna powierzchnia ≤5%
Zadrapania spowodowane intensywnym światłem 3 rysy na łącznej długości 1 × średnicy wafla 5 zadrapań na łącznej długości 1 × średnicy wafla 5 zadrapań na łącznej długości 1 × średnicy wafla
odpryski krawędzi Żaden 3 dozwolone, ≤0,5 mm każdy 5 dozwolonych, ≤1 mm każdy
Zanieczyszczenie światłem o dużej intensywności Żaden

Można również dostarczyć wafle Sic waflowe 2-6 cali i inne niestandardowe rozmiary.

 

 

3. Zdjęcia z dostawą Produktów przed

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych 02-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych 1

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych 2

Pakiet dostawy

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych 3

 

 

Szczegóły kontaktu
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Osoba kontaktowa: Wang

Tel: +8615801942596

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)