Wszystkie produkty
Osoba kontaktowa :
Wang
Numer telefonu :
15801942596
WhatsApp :
+8615801942596
2-calowy szablon wafelka z azotku galu Szafirowy szablon Epi Wafle
| Miejsce pochodzenia | CHINY |
|---|---|
| Nazwa handlowa | ZMSH |
| Orzecznictwo | rohs |
| Numer modelu | 2-calowy szablon GaN-ON-szafirowy GaN |
| Minimalne zamówienie | 5 sztuk |
| Cena | usd150.00 |
| Szczegóły pakowania | pojedynczy pojemnik na wafle lub 25-częściowe pudełko na kasety pod 100 pomieszczeniem czyszczącym; |
| Czas dostawy | 1-4 tydzień; |
| Zasady płatności | T/T, Western Union |
| Możliwość Supply | 1000 SZTUK/MIESIĄC |
Szczegóły Produktu
| MATERIAŁ | GaN-ON-szafirowe epi-wafle | PODŁOŻE | Szafir |
|---|---|---|---|
| Rozmiar | 2-6 cali | Powierzchnia | SSP/DSP |
| OEM MOQ | 8 sztuk | Grubość | 430um na 2 cale |
| epi grubości | 1-5um | Wniosek | epitaksjalny hEMT |
| Dostosowane | ok | ||
| High Light | Sorry,the request URL was not found,Gallium Nitride Sapphire Substrates |
||
opis produktu
2-calowe 4-calowe 6-calowe GaN-ON-sapphire Niebieska dioda LED Zielona dioda LED epi-wafel PSS Wafle
2-calowe 4-calowe epi-płytki uGaN/nGaN/pGaN-on-Sapphire
Jako wiodący producent i dostawca płytek epi GaN (azotek galu), oferujemy 2-6 cali GaN na szafirowych waflach epi do zastosowań w elektronice mikrofalowej o grubości 2 na podłożach szafirowych typu C-plane 430um cali, 4 cale 520um, 650um i 6 cal 1000-1300um, normalna wartość warstwy buforowej GaN wynosi 2-4um;możemy również dostarczyć niestandardowe konstrukcje i parametry zgodnie z wymaganiami klienta.
GaN na szablonach Sapphire
GaN na szablonach szafirowych są dostępne w średnicach od 2” do 6” i składają się z cienkiej warstwy krystalicznego GaN wyhodowanego przez HVPE na podłożu szafirowym.Szablony gotowe na Epi są już dostępne
Jako wiodący producent i dostawca płytek epi GaN (azotek galu), oferujemy 2-6 cali GaN na szafirowych waflach epi do zastosowań w elektronice mikrofalowej o grubości 2 na podłożach szafirowych typu C-plane 430um cali, 4 cale 520um, 650um i 6 cal 1000-1300um, normalna wartość warstwy buforowej GaN wynosi 2-4um;możemy również dostarczyć niestandardowe konstrukcje i parametry zgodnie z wymaganiami klienta.
Specyfikacja szablonu uGaN/nGaN/pGaN-on-Sapphire
ZMKJ Semiconductor zobowiązuje się do produkcji wysokiej jakości materiałów uGaN/nGaN/pGaN na płaszczyźnie
Podłoża szafirowe lub PSS o zróżnicowanej wielkości wafla od 2 cali do 6 cali.Jakość wafla spełnia
następujące specyfikacje:
Przedmiotów/
Aby uzyskać więcej informacji, odwiedź naszą witrynę inna strona;
wyślij nam e-mail na adres eric-wang@galliumazotidewafer.com
ZMSH jest wiodącym producentem materiałów półprzewodnikowych w Chinach.ZMSH opracowuje zaawansowane technologie wzrostu kryształów i epitaksji, procesy produkcyjne, podłoża inżynieryjne i urządzenia półprzewodnikowe.Nasze technologie umożliwiają wyższą wydajność i niższe koszty wytwarzania płytek półprzewodnikowych.
Możesz skorzystać z naszej bezpłatnej usługi technologicznej od zapytania do serwisu w oparciu o nasze ponad 10 doświadczeń w linii półprzewodników.
Polecane produkty