Kaseta na wafele o średnicy 1 cala to specjalistyczny pojemnik przeznaczony do bezpiecznego obchodzenia się, transportu i przechowywania półprzewodnikowych wafli o małej średnicy (1 cal). Jego główną rolą jest zapewnienie ochrony fizycznej, izolacji od środowiska i kompatybilności ze zautomatyzowanymi systemami, co gwarantuje integralność wafli i wydajność procesów w całym procesie produkcji półprzewodników.
Krótki: Odkryj kasetę waferów o średnicy 1 cala, zaprojektowaną do bezpiecznej obsługi i transportu waferów półprzewodnikowych o średnicy 16 mm o pojemności 25 sztuk.Ta kaseta zapewnia integralność płytki i efektywność procesu dzięki wysokiej wytrzymałości materiałów i funkcji gotowych do automatyzacji.
Powiązane cechy produktu:
Zbudowane z metali o wysokiej wytrzymałości lub odpornych na korozję tworzyw sztucznych w celu zapewnienia trwałości.
Precyzyjnie zaprojektowane szczeliny minimalizują naprężenia mechaniczne i zapobiegają poślizgowi wafla.
Przestrzega standardów SEMI, zapewniając bezproblemową integrację ze zautomatyzowanym sprzętem.
Zawiera materiały zabezpieczone przed ESD, które chronią płytki przed uszkodzeniami elektrostatycznymi.
Zapieczętowana konstrukcja zapobiega zanieczyszczeniu pyłem, wilgocią i parami chemicznymi.
Działa niezawodnie w szerokim zakresie temperatur (-20°C do 150°C).
Lekka konstrukcja obniża koszty materiałowe przy jednoczesnym zachowaniu trwałości.
Obsługuje śledzenie w czasie rzeczywistym z zaawansowanymi modelami uwzględniającymi tagi lub czujniki.
Często zadawane pytania:
Z jakich materiałów wykonana jest kaseta na wafele o średnicy 1 cala?
Kaseta jest wykonana z metali o wysokiej wytrzymałości, takich jak stal nierdzewna lub odpornych na korozję tworzyw sztucznych, takich jak PEEK i PTFE.
Jak ta kaseta chroni płytki przed uszkodzeniami elektrostatycznymi?
Wykorzystuje materiały antystatyczne, w tym powłoki przewodzące i fluoropolimery, aby chronić wafle przed wyładowaniami elektrostatycznymi.
Jaki zakres temperatur może wytrzymać 5-calowa taśma?
Kaseta działa niezawodnie w szerokim zakresie temperatur, od -20°C do 150°C, co pozwala na zastosowanie w różnych procesach półprzewodnikowych.