To urządzenie umożliwia precyzyjne rozrzedzanie kruchych materiałów półprzewodnikowych o długości od 4 do 12 cali, w tym krzemu (Si), węglanu krzemu (SiC), arsenku galiu (GaAs) i substratów szafiru,osiągając dokładność kontroli grubości ±1 μm i całkowitą zmienność grubości (TTV) ≤2 μm w celu spełnienia rygorystycznych wymagań zaawansowanych opakowań i produkcji urządzeń zasilania.
Krótki: Odkryj system do cienkiego szlifowania płytek Precision Thinning Equipment, kompatybilny z waflami SiC, Si, GaAs i szafirowymi o średnicy 4-12 cali. Uzyskaj kontrolę grubości ±1 μm i TTV ≤2 μm dla zaawansowanego pakowania i produkcji urządzeń mocy. Zoptymalizowany dla półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej, takich jak SiC.
Powiązane cechy produktu:
Precyzyjne ścieńczanie dla kruchych materiałów półprzewodnikowych o średnicy 4-12 cali, w tym Si, SiC, GaAs i szafiru.
Wykorzystuje się urządzenia, które są wyposażone w urządzenia o charakterze mechanicznym lub mechanicznym, w tym urządzenia do monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania i monitorowania.
Zoptymalizowane parametry szlifowania i procesy polerowania dla zróżnicowanych właściwości materiałowych.
Zintegrowane, zautomatyzowane monitorowanie grubości w czasie rzeczywistym dla stabilnej wydajności.
Dostosowywalne rozwiązania próżniowe dla produktów nieregularnych.
Precyzyjne szlifowanie wrzeciona w podajniku z doskonałą dokładnością obróbki.
Ułatwiona obsługa dzięki ergonomicznemu interfejsowi HMI i precyzyjnemu sterowaniu ośą Z.
Obsługuje tryb działania w trybie pełno-automatycznym i półautomatycznym z pomiarem grubości w czasie rzeczywistym.
Często zadawane pytania:
Czy sprzęt do ścinania płytek obsługuje dostosowywanie?
Tak, oferujemy w pełni spersonalizowane rozwiązania, w tym specjalistyczne uchwyty do nieregularnych wafli i dostosowywanie receptur procesowych.
Jaką dokładność kontroli grubości mogą osiągnąć maszyny do cienienia płytek?
Jakie materiały są kompatybilne z systemem do cienienia płytek (Wafer Thinning System)?
System jest kompatybilny z kruchymi materiałami półprzewodnikowymi o rozmiarach 4-12 cali, w tym z krzemem (Si), węglikiem krzemu (SiC), arsenkiem galu (GaAs) i podłożami szafirowymi.