Odkryj tarczę tnącą 4H-SEMI SiC Substrate, rozwiązanie o wysokiej twardości do precyzyjnego cięcia. O średnicy 10 mm i grubości 5 mm, ten wafer SiC jest idealny do urządzeń elektronicznych wysokiej częstotliwości i dużej mocy. Konfigurowalny i trwały, doskonale nadaje się do zastosowań przemysłowych i naukowych.