Wyślij wiadomość
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Dom > Produkty > Wafel azotowy galu >
Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu
  • Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu
  • Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu
  • Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu

Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu

Miejsce pochodzenia CHINY
Nazwa handlowa zmsh
Orzecznictwo ROHS
Numer modelu GaN-ON-GaN
Szczegóły Produktu
Materiał:
GaN monokrystaliczny wafel epi;
Przemysł:
Wafel półprzewodnikowy, LED
Aplikacja:
urządzenie półprzewodnikowe, wafel LD, wafel LED, detektor eksploratora (laser)
Rodzaj:
wolnostojący GaN . typu N
Dostosowane:
ok
Rozmiar:
Wspólnie 2 cale x 0,35 mmt;
Grubość:
400±50um
Warstwa:
1-25 UM
Gęstość dyslokacji:
<1E7cm-2
High Light: 

Półprzewodnikowy wafel z azotku galu

,

wafel półprzewodnikowy PIN

,

substraty GaN wafel galowy

Opis produktu

2-calowa metoda HVPE wafel GaN z azotku galu, wolnostojące podłoża GaN do aplikacji LED, chipy GaN o wymiarach 10x10 mm, wafel HVPE GaN

2-calowe wafle GaN-ON-GaN PIN na wolnostojących podłożach GaN

 

Informacje o funkcji GaN-on-GaN Wprowadzenie

Pionowe urządzenia zasilające GaN mają potencjał, aby zrewolucjonizować przemysł urządzeń zasilających, szczególnie w zastosowaniach o wysokich wymaganiach napięciowych, takich jak pionowe urządzenia GaN powyżej 600 V. W zależności od właściwości fizycznych materiału, urządzenia GaN mają niższą rezystancję w danym momencie napięcie przebicia niż tradycyjne urządzenia zasilające na bazie krzemu i nowe urządzenia zasilające z czystego węglika krzemu.Poziome urządzenia zasilające GaN, tj. tranzystory wysokiej mobilności GaN-on-Silicon (HEMT), konkurują z urządzeniami krzemowymi na rynku niskiego napięcia, a GaN jest lepszy, co również dowodzi wyższości materiałów GaN.
Oczekuje się, że pionowe urządzenia zasilające GaN będą konkurować z urządzeniami zasilającymi z czystego węglika krzemu na rynku wysokiego napięcia.W ciągu pierwszych dwóch lat urządzenia SiC zdobyły pewien udział w rynku aplikacji wysokonapięciowych, a niektóre firmy rozszerzyły produkcję 6-calowego i 8-calowego SiC.W przeciwieństwie do tego, pionowe urządzenia GaN nie są jeszcze dostępne w handlu i bardzo niewielu dostawców może hodować wafle GaN o średnicy 4 cali.Zwiększenie podaży wysokiej jakości płytek GaN ma kluczowe znaczenie dla rozwoju pionowych urządzeń GaN.
Urządzenia zasilające wysokiego napięcia wykonane z azotku galu mają trzy potencjalne zalety:
1. Przy danym napięciu przebicia teoretyczna rezystancja jest o rząd wielkości mniejsza.Dlatego mniej mocy jest tracone podczas polaryzacji w przód, a wydajność energetyczna jest wyższa.

Po drugie, przy danym napięciu przebicia i rezystancji załączania, rozmiar wytwarzanego urządzenia jest mniejszy.Im mniejszy rozmiar urządzenia, tym więcej urządzeń można wykonać z jednego wafla, co zmniejsza koszt.Ponadto większość zastosowań wymaga mniejszych chipów.
3. Azotek galu ma przewagę pod względem maksymalnej częstotliwości pracy urządzenia, a częstotliwość zależy od właściwości materiału i konstrukcji urządzenia.Zwykle najwyższa częstotliwość węglika krzemu wynosi około 1 MHz lub mniej, podczas gdy urządzenia zasilające wykonane z azotku galu mogą pracować na wyższych częstotliwościach, takich jak dziesiątki MHz.Praca przy wyższych częstotliwościach jest korzystna dla zmniejszenia rozmiaru elementów pasywnych, zmniejszając w ten sposób rozmiar, wagę i koszt systemu konwersji energii.
Pionowe urządzenia GaN są nadal w fazie badań i rozwoju, a branża nie osiągnęła jeszcze konsensusu w sprawie struktury optymalnego pionowego urządzenia GaN.Trzy główne struktury urządzeń obejmują Pionowy Tranzystor Elektronowy z Aperturą Prądową (CAVET), Tranzystor FET (Trench FET) i Tranzystor FET (Fin FET).Wszystkie struktury urządzenia zawierają warstwę o niskiej zawartości domieszkowanej azotem jako warstwę dryfu.Warstwa ta jest bardzo ważna, ponieważ grubość warstwy dryfu determinuje napięcie przebicia urządzenia.Ponadto koncentracja elektronów odgrywa rolę w osiągnięciu teoretycznie najniższej rezystancji.ważna rola.

Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu 0

Aplikacje

  1. - Różne diody LED: biała dioda LED, fioletowa dioda LED, ultrafioletowa dioda LED, niebieska dioda LED
  2. - Wykrywanie środowiskowe
  3. Podłoża do wzrostu epitaksjalnego przez MOCVD itp.
  4. - Diody laserowe: fioletowe LD, zielone LD do ultra małych projektorów.
  5. - Urządzenia energoelektroniczne
  6. - Urządzenia elektroniczne wysokiej częstotliwości
  7. Laserowy wyświetlacz projekcyjny, urządzenie zasilające itp.
  8. Przechowywanie daty
  9. Energooszczędne oświetlenie
  10. Wysokowydajne urządzenia elektroniczne
  11. Nowa technologia wodorowa solu energetycznego
  12. Pasmo terahercowe źródła światła

Specyfikacje substratów GaN-on-GaN dla każdego gatunku

 

 

2”podłoża GaN
Przedmiot GaN-FS-N
Wymiary rozmiar Ф 50,0 mm ± 0,5 mm
Grubość podłoża 400 ± 30 µm
Orientacja podłoża Oś C (0001) w kierunku osi M 0,55 ± 0,15°
Polski SSP lub DSP
   
Struktura epilyaera 0,5 μm pGaN/20 μm iGaN/2 μm nGaN/FS-GaN
Grubość Epi/STD 1~25um/<3%
Chropowatość <0,5 nm
Gęstość przebarwień <1X107cm-2
Stężenie nośnika pGaN >1E17CM-3;
Stężenie nośnika iGaN > 1E17CM-3;
Stężenie nośnika nGaN >1E17CM-3;
 
Powierzchnia użytkowa poziom P>90%;Poziom R> 80%: Poziom D> 70% (wykluczenie defektów krawędzi i makro)

 

Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu 1Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu 2

 

Nasze Usługi

1. Bezpośrednia produkcja i sprzedaż w fabryce.

2. Szybkie, dokładne cytaty.

3. Odpowiedz w ciągu 24 godzin roboczych.

4. ODM: Dostępny jest niestandardowy projekt.

5. Szybkość i cenna dostawa.

 

FAQ

P: Czy jest jakiś produkt lub standardowy produkt?

Odp .: Tak, commen rozmiar jak w standardowym rozmiarze 2 cale 0,3 mm zawsze w magazynie.

 

P: A co z polityką dotyczącą próbek?

Odp.: przepraszam, ale sugeruj, że możesz najpierw kupić jakiś rozmiar 10x10mm do testu.

 

P: Jeśli złożę zamówienie teraz, jak długo potrwa, zanim otrzymam dostawę?

Odp.: standardowy rozmiar w magazynie w ciągu 1 tygodnia można wyrazić po dokonaniu płatności.

a nasz termin płatności to 50% depozytu i pozostawiony przed dostawą.

Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu 3

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86-1580-1942596
Rm5-616, nr 851, aleja Dianshanhu, obszar Qingpu, miasto Szanghaj, CHINY
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas