HPSI 4H-SEMI Przezroczysta, bezbarwna, dostosowana soczewka SIC

ZMSH oferuje wafel SiC i epitaksję: wafel SiC jest materiałem półprzewodnikowym trzeciej generacji z szerokim pasmem wzbronionym o doskonałej wydajności.Ma zalety szerokiego pasma zabronionego, wysokiej przewodności cieplnej, pola elektrycznego o wysokim przebiciu, wysokiej temperatury wewnętrznej, odporności na promieniowanie, dobrej stabilności chemicznej i wysokiego współczynnika dryfu nasycenia elektronami.Wafel SiC ma również wspaniałe perspektywy zastosowań w lotnictwie, transporcie kolejowym, wytwarzaniu energii fotowoltaicznej, przesyle energii, nowych pojazdach energetycznych i innych dziedzinach oraz przyniesie rewolucyjne zmiany w technologii energoelektroniki.Si face lub C face to CMP jako gatunek epi-ready, zapakowany w gazowy azot, każdy wafel znajduje się w jednym pojemniku na wafle, w pomieszczeniu o czystości 100.

Wafle SiC typu Epi-ready mają typ N lub Semi-izolacyjny, ich polityp to 4H lub 6H w różnych klasach jakości, gęstość mikropipe (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2, <100/ cm2, a dostępny rozmiar to 2”, 3”, 4” i 6”. Jeśli chodzi o epitaksję SiC, jej jednorodność grubości między waflami: 2% i jednolitość domieszkowania między waflami: 4%, dostępne stężenie domieszkowania pochodzi z niedomieszkowanego, Dostępne są warstwy epi E15,E16,E18,E18/cm3, typu n i p, defekty epi są poniżej 20/cm2;Całe podłoże powinno być użyte do wzrostu epi; warstwy epi typu N <20 mikronów są poprzedzone warstwą buforową typu n, E18 cm-3, 0,5 μm;warstwy epi typu N ≥20 mikronów są poprzedzone warstwą buforową typu n, E18, 1-5 μm;Domieszkowanie typu N określa się jako średnią wartość w wafelku (17 punktów) przy użyciu sondy Hg CV;Grubość określa się jako średnią wartość w poprzek płytki (9 punktów) za pomocą FTIR.