Wyślij wiadomość

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Poczta: eric_wang@zmsh-materials.com TEL: 86-1580-1942596

>

silicon substrate Producent internetowy

WSZYSTKIE PRODUKTY

GORĄCE PRODUKTY

wideo

kupować ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki Producent internetowy

ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki

kupować 4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade Producent internetowy

4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade

kupować 2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN Producent internetowy

2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN

wideo

kupować Al2O3 9,0 Polerowany syntetyczny rubin z domieszką twardości Producent internetowy

Al2O3 9,0 Polerowany syntetyczny rubin z domieszką twardości

wideo

kupować Optyczny szafirowy kryształ syntetyczny rubin do szkiełka zegarka Producent internetowy

Optyczny szafirowy kryształ syntetyczny rubin do szkiełka zegarka

kupować Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem Producent internetowy

Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem

kupować GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale Producent internetowy

GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale

kupować 2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN Producent internetowy

2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN

silicon substrate (149) Producent internetowy

Jakość 4' 6' AIN na podłożu krzemowym SSP DSP półprzewodnikowe płytki 100nm 200nm warstwa fabryka

4' 6' AIN na podłożu krzemowym SSP DSP półprzewodnikowe płytki 100nm 200nm warstwa

Jakość Wafle krzemowe IC wolne od wad 0,28/0,35/0,5/0,525/0,625/0,7/0,725 mm Płaskość fabryka

Wafle krzemowe IC wolne od wad 0,28/0,35/0,5/0,525/0,625/0,7/0,725 mm Płaskość

Jakość Płytka krzemowa IC o płaskości fabryka

Płytka krzemowa IC o płaskości

Jakość Dia 50.8mm Rozmiar IC Wafel krzemowy, N Typ 300mm krzemowy wafelek Si Jednokrystaliczny materiał fabryka

Dia 50.8mm Rozmiar IC Wafel krzemowy, N Typ 300mm krzemowy wafelek Si Jednokrystaliczny materiał

Jakość Dwustronnie polerowany IC Soczewki silikonowe Customized Si Soczewki do soczewek optycznych fabryka

Dwustronnie polerowany IC Soczewki silikonowe Customized Si Soczewki do soczewek optycznych

Jakość 4-calowy IC Soczewki krzemowe Optyczne soczewki Prime Grade dla optoelektroniki fabryka

4-calowy IC Soczewki krzemowe Optyczne soczewki Prime Grade dla optoelektroniki

Jakość Czarny 8-calowy IC Wafel krzemowy Wafel Krzem Wlewki Polikrzemowe do procesu półprzewodnikowego fabryka

Czarny 8-calowy IC Wafel krzemowy Wafel Krzem Wlewki Polikrzemowe do procesu półprzewodnikowego

Jakość 4-calowe 6-calowe wafle GaN-on-Si GaN-on-SiC Epi do zastosowań RF fabryka

4-calowe 6-calowe wafle GaN-on-Si GaN-on-SiC Epi do zastosowań RF

Jakość 4'' 200nm AlScN Na płytkach krzemowych SSP DSP Substraty epitaksyalne dla urządzeń LED fabryka

4'' 200nm AlScN Na płytkach krzemowych SSP DSP Substraty epitaksyalne dla urządzeń LED

Jakość rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie fabryka

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

Jakość 8-calowy DSP 4H SiC Wafel Podłoże z węglika krzemu Klasa produkcyjna N Typ do eksperymentu fabryka

8-calowy DSP 4H SiC Wafel Podłoże z węglika krzemu Klasa produkcyjna N Typ do eksperymentu

Jakość 2-calowe wafle z węglika krzemu 6H lub 4H typu N lub półizolujące podłoża SiC fabryka

2-calowe wafle z węglika krzemu 6H lub 4H typu N lub półizolujące podłoża SiC

Jakość 4H-N 8-calowe podłoże półprzewodnikowe SIC Wafel z węglika krzemu do fotowoltaiki słonecznej fabryka

4H-N 8-calowe podłoże półprzewodnikowe SIC Wafel z węglika krzemu do fotowoltaiki słonecznej

Jakość 10x10mm 5x5mm Rezystywność podłoża SiC 0,015-0,028ohm.Cm lub >1E7ohm.Cm Chipy Sic fabryka

10x10mm 5x5mm Rezystywność podłoża SiC 0,015-0,028ohm.Cm lub >1E7ohm.Cm Chipy Sic

Jakość Podłoże o stałej dielektrycznej 9,7 i przewodności cieplnej 4,9 W/mK fabryka

Podłoże o stałej dielektrycznej 9,7 i przewodności cieplnej 4,9 W/mK

1 2 3 4 5 6 7 8