Wyślij wiadomość

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Poczta: eric_wang@zmsh-materials.com TEL: 86-1580-1942596

>

gan substrate Producent internetowy

WSZYSTKIE PRODUKTY

GORĄCE PRODUKTY

wideo

kupować ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki Producent internetowy

ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki

kupować 4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade Producent internetowy

4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade

kupować 2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN Producent internetowy

2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN

wideo

kupować Al2O3 9,0 Polerowany syntetyczny rubin z domieszką twardości Producent internetowy

Al2O3 9,0 Polerowany syntetyczny rubin z domieszką twardości

wideo

kupować Optyczny szafirowy kryształ syntetyczny rubin do szkiełka zegarka Producent internetowy

Optyczny szafirowy kryształ syntetyczny rubin do szkiełka zegarka

kupować Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem Producent internetowy

Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem

kupować GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale Producent internetowy

GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale

kupować 2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN Producent internetowy

2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN

gan substrate (101) Producent internetowy

Jakość Wolnostojące podłoża HVPE z azotku galu GaN 4 cale fabryka

Wolnostojące podłoża HVPE z azotku galu GaN 4 cale

Jakość Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu fabryka

Wolnostojące podłoża półprzewodnikowe GaN z azotku galu

Jakość Półprzewodnikowy wafel azotku galu, szablon substratu GaN N - typ 2 calowy fabryka

Półprzewodnikowy wafel azotku galu, szablon substratu GaN N - typ 2 calowy

Jakość Substrat HVPE GaN lub szablon GaN EPI Wafel Do zastosowań RF fabryka

Substrat HVPE GaN lub szablon GaN EPI Wafel Do zastosowań RF

Jakość 2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN fabryka

2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN

Jakość 2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN fabryka

2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN

Jakość GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale fabryka

GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale

Jakość 2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED fabryka

2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED

Jakość Wafel GaN o wysokiej sprawności energetycznej Wafel z azotku galu do energooszczędnego oświetlenia fabryka

Wafel GaN o wysokiej sprawności energetycznej Wafel z azotku galu do energooszczędnego oświetlenia

Jakość 2-calowy 4-calowy azotek galu GaN AlN Wafel szablonowy na podłożach szafirowych i Si fabryka

2-calowy 4-calowy azotek galu GaN AlN Wafel szablonowy na podłożach szafirowych i Si

Jakość Szablon GaN Grow Application SSP Sapphire Carrier Substrate Chip Niestandardowa orientacja fabryka

Szablon GaN Grow Application SSP Sapphire Carrier Substrate Chip Niestandardowa orientacja

Jakość Dostosowany GaN-On-GaN SiC Silicon Sapphire Substrat Wafel epitaksjalny 4 cale Dia 100 mm fabryka

Dostosowany GaN-On-GaN SiC Silicon Sapphire Substrat Wafel epitaksjalny 4 cale Dia 100 mm

Jakość 4-calowe 6-calowe wafelki z azotku galu GaN-ON-SiC EPI wafle fabryka

4-calowe 6-calowe wafelki z azotku galu GaN-ON-SiC EPI wafle

Jakość N Typ 4-calowy Dia100mm Wolnostojący wafelek z azotku galu HVPE GaN fabryka

N Typ 4-calowy Dia100mm Wolnostojący wafelek z azotku galu HVPE GaN

Jakość Niedomieszkowane wafle HVPE GAN 10X10 mm z osią M do półprzewodników fabryka

Niedomieszkowane wafle HVPE GAN 10X10 mm z osią M do półprzewodników

1 2 3 4 5 6 7